Creation of ultra low-power-consumption device operation mechanism based on graphene
Creation of ultra low-power-consumption device operation mechanism based on graphene
批准号:
24656234
负责人:
SOUMA Satofumi
金额:
$2.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31
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強結合分子動力学法を用いたグラフェンナノリボンの機械的変形と電子状態に関するシミュレーション
利用强耦合分子动力学方法模拟石墨烯纳米带的机械变形和电子态
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
シリコンテクノロジー
影响因子:
--
作者:
[相馬聡文, 貝野昭造, 小川真人]
通讯作者:
小川真人
Numerical simulation of transport properties in InAs/Si heterojunction nanowire tunneling field effect transistors
InAs/Si异质结纳米线隧道场效应晶体管输运特性的数值模拟
DOI:
10.1109/imfedk.2012.6218605
发表时间:
2012
期刊:
Proc. of 2012 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
影响因子:
--
作者:
[Y. Miyoshi, M. Ogawa, S. Souma, H. Nakamura]
通讯作者:
H. Nakamura
歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンFETの スイッチング機構における構造乱れの影響
结构扰动对应变诱导赝磁场石墨烯 FET 开关机制的影响
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堤 賢一郎,笹岡 健二,小川 真人, 相馬 聡文]
通讯作者:
相馬 聡文
半導体ナノワイヤFETにおけるポテンシャルゆらぎに起因する電流ノイズの数値シミュレーション
半导体纳米线FET电位波动引起的电流噪声的数值模拟
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[船谷宜嗣, 山本貴博, 小川真人,相馬聡文, 上山真之, 小川真人,相馬聡文, 相馬聡文,上山真之, 小川真人, 益原貴志, Amir Mehdipour,相馬聡文,小川真人, 藤川広樹, 相馬聡文,小川真人, 永井寛人, 小川真人,相馬聡文, 古林優希, 小川真人,相馬聡文]
通讯作者:
古林優希, 小川真人,相馬聡文
擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFETの準解析的モデル提案
提出使用赝磁场效应的应变石墨烯 FET 准解析模型
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A. Mehdipour, K.Sasaoka, M. Ogawa, S. Souma, 田中 未来,笹岡 健二,小川 真人,相馬 聡文, 上山 真之,笹岡 健二,小川 真人,相馬 聡文]
通讯作者:
上山 真之,笹岡 健二,小川 真人,相馬 聡文
共 40 条
Development of semiconductor nano-spintronics device simulator based on atomistic material parameters
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批准号:18749006
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.18万
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财政年份:2006
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负责人:SOUMA Satofumi
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依托单位:
海外基金