新規193nm用フォトレジスト材料の開発

新型193nm光刻胶材料的开发

基本信息

项目摘要

19年度は各種ビニルスルホンアミドの合成、重合、及びレジスト評価を総合的に行った。モノマーはクロロエタンスルホン酸クロライドと種々のアミンを反応させることで二重結合とスルホンアミドの生成を同時に行い合成した。重合はAIBNを開始剤とするフリーラジカル重合法にて行った。アダマンチルオキシメチル置換ビニルスルホンアミド(VSAAd)の場合、立体障害のため高分子量ポリマーは得られなかったが、それ以外のモノマーでは迅速に重合し、分子量5万程度のポリマーが得られた。化学増幅機構型レジストとする場合、酸により保護機が迅速に外れる必要がある。そこで、VSAAdから得られたポリマーのクロロホルム溶液にメタンスルホン酸を加え、脱保護反応を追跡した。その結果、脱保護は室温で数分以内に完結することがわかった。そこで、フィルム形成能を考慮し、これとトリフルオロエトキシ置換ビニルスルホンアミドとの共重合体をレジストとして用いることとした。ポリマーはレジストとしで典型的な溶媒であるシクロヘキサノンに可溶であつた。そこで、これを溶媒に用い、光酸発生剤を加え化学増幅型レジストを構築した。フィルムは193nmにおいて非常に高い透明性(90%以上)を示した。また、脱保護したポリマーの現像溶液に対する溶解速度は500nm/s程度であった。以上の結果から、高圧水銀灯を用いたパターン形成実験を行った。その結果、6μmの解像度が可能であった。しかし、ArFエキシマレーザーによるパターン形成を検討したところ、nm領域での解像度を得ることはできなかった。これについては、プロジェクト終了後もさらに検討を続けていく。
In 2019, we conducted a comprehensive review of the synthesis, registration, and integration of all kinds of documents. A double bond is formed between the two groups. The AIBN starts with a new law. In the case of steric barrier, high molecular weight polymer is rapidly overlapped, and molecular weight polymer is rapidly overlapped. Chemical amplification mechanism configuration is necessary in case of acid protection mechanism VSAAd can be used to detect the presence of acid in the solution. The result is that the deprotection is completed within a few minutes of room temperature. For example, if you want to change your mind, you can change your mind. A typical solvent. The solvent, the photoacid generator, the chemical amplifier, High transparency (more than 90%) at 193nm. The dissolution rate of the solution is about 500nm/s. The above results show that the high pressure mercury lamp is used in the formation of the lamp. The resolution of 6μm is possible. ArF This is the first time I've ever seen you.

项目成果

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  • 发表时间:
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