Development of High Power and Millimeter-long Wave Diamond Transistors Using Two Dimensional Hole Gas
利用二维空穴气体开发高功率毫米波金刚石晶体管
基本信息
- 批准号:19106006
- 负责人:
- 金额:$ 65.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have been fabricated on diamond exhibiting high current, high frequency and high temperature performance. The maximum drain current density is above 1 A/mm and the highest transconductance is 400 mS/mm. These values are comparable to those of modern FETs made of Si or III-V semiconductors. Regarding RF performance, the highest cutoff frequency reaches nearly 50 GHz. The power handling capability exceeds those of Si and GaAs at 1 GHz. The operation temperature of diamond MOSFETs increased to be 400℃ indicating the stable operation of diamond transistor. Josephson junction devices composed of superconducting diamonds show the junction characteristic frequency in THz region.
在金刚石上制备了具有高电流、高频和高温性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。最大漏极电流密度大于1a /mm,最大跨导400ms /mm。这些值可与由Si或III-V半导体制成的现代场效应管相媲美。射频性能方面,最高截止频率接近50 GHz。功率处理能力超过Si和GaAs在1ghz的功率处理能力。金刚石mosfet的工作温度提高到400℃,表明金刚石晶体管工作稳定。超导金刚石构成的约瑟夫森结器件在太赫兹区显示结特征频率。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
1
1 1Ê1 > 2:异核双原子催化剂的 CO 氧化性能优于同核催化剂
- DOI:10.1002/smtd.201800480
- 发表时间:2019-09-01
- 期刊:
- 影响因子:12.4
- 作者:Li, Fengyu;Liu, Xinying;Chen, Zhongfang
- 通讯作者:Chen, Zhongfang
Bias dependence of RF performance and small-signal equivalent circuit in diamond MISFETs
金刚石 MISFET 中 RF 性能和小信号等效电路的偏置依赖性
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Hirama;H. Umezawa;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (111) and (001) CVD boron-doped diamond
(111) 和 (001) CVD 硼掺杂金刚石中超导体到绝缘体转变的临界浓度
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:1.7
- 作者:A.Kawano;H.Kawarada;et al.
- 通讯作者:et al.
Growth of heavily boron-doped polycrystalline superconducting diamond
重硼掺杂多晶超导金刚石的生长
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Umezawa;H.Kawarada;et. al.
- 通讯作者:et. al.
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
KAWARADA Hiroshi其他文献
KAWARADA Hiroshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('KAWARADA Hiroshi', 18)}}的其他基金
Electron Spin Control of Diamond by Surface Carrier and its Application to Nuclear Spin Detection of Bio-Molecules
表面载流子对金刚石电子自旋的控制及其在生物分子核自旋检测中的应用
- 批准号:
26220903 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ダイヤモンド薄膜表面の導電性制御によるハイパワー高周波トランジスタの開発
通过控制金刚石薄膜表面的电导率开发高功率高频晶体管
- 批准号:
15206043 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
High breakdown voltage and high frequency field-effect transistors on heteroepitaxial diamond film.
异质外延金刚石薄膜上的高击穿电压和高频场效应晶体管。
- 批准号:
10450127 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Environmentally Robust Biosensor Using Field Effect Transistors of Heteroepitaxial Diamond
使用异质外延金刚石场效应晶体管的环境鲁棒性生物传感器
- 批准号:
09555103 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Investigation of electron divices for hard atmosphere using heteroepitaxial diamond layr
使用异质外延金刚石层研究硬气氛电子器件
- 批准号:
07650384 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Direct Manipulation of 3-Dimensional Shape Models in Virtual Work Space
虚拟工作空间中 3 维形状模型的直接操作
- 批准号:
02452158 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 65.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)