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Growth of diluted bismide III-V semimetal semiconductor alloy GaInAsBi and control of its physical properties

Growth of diluted bismide III-V semimetal semiconductor alloy GaInAsBi and control of its physical properties
稀释双酰亚胺III-V族半金属半导体合金GaInAsBi的生长及其物理性能的控制
批准号：
19360008
负责人：
YOSHIMOTO Masahiro
金额：
$9.82万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360008/
关键词：
結晶成長半導体物性光物性超格子電子・電気材料半導体半金属混晶発光波長温度無依存分子線エピタキシービスマスIII-V族半導体多重量子井戸レーザダイオードホトルミネセンスインジウムリン

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本研究では、全く未開拓な混晶半導体であるビスマス系III-V族半導体GaInAsBiの製作法を確立し、その物性の解明を目的としている。分子線エピタキシー法を用いてGaInAsBiが製作可能なことを世界で初めて実証した。GaAs中のBiは偏析しやすいため、量子井戸構造の製作は不可能とされてきたが、本研究で(In)GaAsBi/GaAs量子井戸構造を実現した。InGaAsBi、GaAsBi/GaAs量子井戸構造の発光波長は温度無依存化することを明確にした。
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会议论文
(100) GaAs基板上In_<1-y>Ga_yAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作
(100) GaAs衬底上In_<1-y>Ga_yAs_<1-x>Bi_x/GaAs多量子阱结构的制作
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [山田和弥, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広]
通讯作者： 吉本昌広
1.3μmでのホトルミネセンス発光を有するGaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs多重量子井戸構造の製作
1.3 μm 光致发光的 GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs 多量子阱结构的制备
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [富永依里子, 木下雄介, 尾江邦重, 吉本昌広]
通讯作者： 吉本昌広
Growth of GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs multi-quantumwells by molecular beam epitaxy, phys
通过分子束外延、物理生长 GaAs_<1-x>Bi_x/GaAs 多量子阱
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： stat.sol.(c) 5
影响因子： --
作者： [Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita,Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto]
通讯作者： Masahiro Yoshimoto
Growth of GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs multi-quantum wells with 1.3 μm photoluminescence emission
具有1.3 μm光致发光发射的GaAs_<1-x>Bi_xB/GaAs多量子阱的生长
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto]
通讯作者： Masahiro Yoshimoto
共 16 条
    Bi-containing III-V semiconductor super lattices for laser diodes with temperature-insensitive laser oscillation wavelength
    • 批准号：
      21360008
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.82万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      YOSHIMOTO Masahiro
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    Fabrication of III-V semiconductor/Si heterojunctions without disturbance of inter-diffusion toward high frequency devices
    • 批准号：
      11650322
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      YOSHIMOTO Masahiro
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    海外基金