Study on green semiconductor laser diodes

绿色半导体激光二极管的研究

• 批准号: 19360166
• 负责人: NOMURA Ichirou
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360166/
• 关键词: 緑色半導体レーザ; 光励起発振; ダブルヘテロ構造; II-VI族半導体; BeZnSeTe; InP基板; MgSe; BeZnTe超格子; しきい値電流密度; 寿命特性; 選択エッチング; 半導体レーザ; 緑色; II-IV族半導体; 分子線エピタキシー; 信頼性; 超格子

緑色半導体レーザの開発を目指しInP基板上のII-VI族半導体材料の開拓を進めた。BeZnSeTeを活性層とするダブルヘテロ構造(DH)では室温において緑色～黄色光励起発振に成功し、BeZnSeTeが緑色～黄色レーザの活性層材料として高い性能を有していることを示した。BeZnSeTeを活性層とするDHレーザ構造を作製し、電流注入により評価したところ550～560nmにおいて黄緑色の発光が観測された。

The development of green semiconductor materials refers to the development of II-VI semiconductor materials on InP substrates. BeZnSeTe active layer structure (DH) is room temperature green to yellow excitation success, BeZnSeTe green to yellow active layer material has high performance. BeZnSeTe active layer and DH structure are controlled, current injection is evaluated, and yellow and green emission is measured at 550~560nm.

项目成果

First photo-pumped yellow-green lasing operation of BeZnSeTe/(MgSe/BeZnTe) double-hetero (DH) structures grown on InP substrates

在 InP 衬底上生长的 BeZnSeTe/(MgSe/BeZnTe) 双异质 (DH) 结构的首次光泵黄绿激光操作

• 发表时间: 2008
• 作者: E. M. Umali;S. Yokozawa;Y. Yamao;Yasutaka Ogawa;H.Satoh;Tomoya Ebisawa
• 通讯作者: Tomoya Ebisawa

InP基板上BeZnSeTeダブルヘテロ(DH)構造における黄色-緑色域光励起発振特性

InP衬底上BeZnSeTe双异质(DH)结构的黄绿光激发振荡特性

• 发表时间: 2009
• 作者: 横澤真介;山尾泰;澤藤豊
• 通讯作者: 澤藤豊

InP基板上 BeZnSeTe ダブルヘテロ(DH)構造における黄色-緑色域光励起発振特性

InP衬底上BeZnSeTe双异质(DH)结构的黄绿光激发振荡特性

• 发表时间: 2009
• 作者: 澤藤豊;野村一郎;蛯沢智也;櫛田俊;岸野克巳
• 通讯作者: 岸野克巳

Photopumped green lasing on BeZnSeTe double heterostructures grown on InP substrates

InP 衬底上生长的 BeZnSeTe 双异质结构上的光泵绿光激光

• 发表时间: 2009
• 期刊: Applied Physics Letters 94
• 作者: T.Motohashi;Y.Hamade;Y.Masubuchi;T.Takeda;K.Murai;A.Yoshiasa;S.Kikkawa;Ichirou Nomura
• 通讯作者: Ichirou Nomura

Proposal of BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI compound semiconductors on InP substrates for green laser diodes

用于绿光激光二极管的 InP 衬底上 BeZnSeTe/MgZnCdSe II-VI 化合物半导体的提案

• 发表时间: 2008
• 作者: Ichirou Nomura;Katsumi Kishino;Tomoya Ebisawa;Shun Kushida;Jun Uota;Kunihiko Tasai;Hitoshi Nakamura;Tsunenori Asatsuma;Hiroshi Nakajima
• 通讯作者: Hiroshi Nakajima