Development ofnovel heterostructure materials for high performance green-range semiconductor laser diodes
Development ofnovel heterostructure materials for high performance green-range semiconductor laser diodes
高性能绿光半导体激光二极管新型异质结构材料的开发
批准号：
22560301
负责人：
NOMURA Ichirou
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
中文摘要
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英文摘要
Novel cladding layer materials were developed to realize high-performance green semiconductor laser diodes (LDs). II-VI compound semiconductors on InP substrates and indium tin oxide (ITO) usually used as a transparent electrode were investigated as the cladding layer materials. New LD structures with ITO p-cladding layers wereproposed. From theoretical analysis of the LD structure, it was shown that sufficient optical waveguide could be realized. Deposition conditions of ITO and contact layer materials were investigated, which revealed optimum conditions for high device performances
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Development of II-VI Compound Semiconductors on InP Substrates for Green and Yellow Lasers
用于绿光和黄光激光器的 InP 衬底上 II-VI 族化合物半导体的开发
用于绿光和黄光激光器的 InP 衬底上 II-VI 族化合物半导体的开发
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Mizukami, et al, Ichirou Nomura]
通讯作者：
Ichirou Nomura
InP基板上BeZnTe/ZnSeTe超格子擬似混晶の作製と評価
InP衬底上BeZnTe/ZnSeTe超晶格赝混晶的制备与评价
InP衬底上BeZnTe/ZnSeTe超晶格赝混晶的制备与评价
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takayuki Miyamae, Eisuke Ito, Yutaka Noguchi, Hisao Ishii, A. Morita, 小林俊輝]
通讯作者：
小林俊輝
Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates
InP 衬底上生长的 BeZnSeTe II-VI 化合物四元双异质结构在绿黄范围内的光泵激光特性
InP 衬底上生长的 BeZnSeTe II-VI 化合物四元双异质结构在绿黄范围内的光泵激光特性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yasuo Nakayama, Yen-Hao Huang, Ching-Hsuan Wei, Takuya Kubo, Shin-ichi Machida, Tun-Wen Pi, S.-J.Tang, Yutaka Noguchi, Hisao Ishii, Ichirou Nomura]
通讯作者：
Ichirou Nomura
InP基板上ZnCdSe/BeZnTeタイプII超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価
InP 衬底上 ZnCdSe/BeZnTe II 型超晶格的光致发光发射特性评估
InP 衬底上 ZnCdSe/BeZnTe II 型超晶格的光致发光发射特性评估
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Yamada, H. Kaji, 吉川信一, 菊池裕嗣, 村上佳介]
通讯作者：
村上佳介
InP基板上BeZnSeTe系II-VI族半導体光デバイスにおけるZnSeTe p側コンタクト層の効果
InP衬底上BeZnSeTe II-VI族半导体光器件中ZnSeTe p侧接触层的影响
InP衬底上BeZnSeTe II-VI族半导体光器件中ZnSeTe p侧接触层的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino, M.Onoda, 高松眞吾,野村一郎,小林俊輝,岸野克巳, 小野田光宣, 高松眞吾]
通讯作者：
高松眞吾
共 9 条
Study on green semiconductor laser diodes
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批准号：19360166
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.9万
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财政年份：2007
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负责人：NOMURA Ichirou
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依托单位：
Study on yellow/green semiconductor laser diodes
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批准号：16560308
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2004
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负责人：NOMURA Ichirou
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依托单位：
海外基金