Development ofnovel heterostructure materials for high performance green-range semiconductor laser diodes

高性能绿光半导体激光二极管新型异质结构材料的开发

• 批准号: 22560301
• 负责人: NOMURA Ichirou
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560301/
• 关键词: 電気; 電子材料; 半導体レーザ; クラッド層; 酸化インジウムスズ; 透明導電膜; コンタクト層; ZnTe; ZnSeTe; 超格子; レーザ; スパッタ法; 導波路; 光閉じ込め; II-VI族; ドーピング; 二次イオン質量分析; フォトルミネッセンス測定; C-V測定; 変調ドーピング; 均一ドーピング; BeZnTe; MgSe/BeZnTe超格子

Novel cladding layer materials were developed to realize high-performance green semiconductor laser diodes (LDs). II-VI compound semiconductors on InP substrates and indium tin oxide (ITO) usually used as a transparent electrode were investigated as the cladding layer materials. New LD structures with ITO p-cladding layers wereproposed. From theoretical analysis of the LD structure, it was shown that sufficient optical waveguide could be realized. Deposition conditions of ITO and contact layer materials were investigated, which revealed optimum conditions for high device performances

开发了新型熔覆层材料以实现高性能绿色半导体激光二极管（LD）。研究了InP衬底上的II-VI族化合物半导体和通常用作透明电极的氧化铟锡（ITO）作为包覆层材料。提出了具有 ITO p 包层的新型 LD 结构。从LD结构的理论分析表明，可以实现足够的光波导。研究了 ITO 和接触层材料的沉积条件，揭示了高器件性能的最佳条件

项目成果

Development of II-VI Compound Semiconductors on InP Substrates for Green and Yellow Lasers

用于绿光和黄光激光器的 InP 衬底上 II-VI 族化合物半导体的开发

• 发表时间: 2012
• 作者: S.Mizukami;et al;Ichirou Nomura
• 通讯作者: Ichirou Nomura

InP基板上BeZnTe/ZnSeTe超格子擬似混晶の作製と評価

InP衬底上BeZnTe/ZnSeTe超晶格赝混晶的制备与评价

• 发表时间: 2012
• 作者: Takayuki Miyamae;Eisuke Ito;Yutaka Noguchi;Hisao Ishii;A. Morita;小林俊輝
• 通讯作者: 小林俊輝

Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates

InP 衬底上生长的 BeZnSeTe II-VI 化合物四元双异质结构在绿黄范围内的光泵激光特性

• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Yasuo Nakayama;Yen-Hao Huang;Ching-Hsuan Wei;Takuya Kubo;Shin-ichi Machida;Tun-Wen Pi;S.-J.Tang;Yutaka Noguchi;Hisao Ishii;Ichirou Nomura
• 通讯作者: Ichirou Nomura

InP基板上ZnCdSe/BeZnTeタイプII超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価

InP 衬底上 ZnCdSe/BeZnTe II 型超晶格的光致发光发射特性评估

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Yamada;H. Kaji;吉川信一;菊池裕嗣;村上佳介
• 通讯作者: 村上佳介

InP基板上BeZnSeTe系II-VI族半導体光デバイスにおけるZnSeTe p側コンタクト層の効果

InP衬底上BeZnSeTe II-VI族半导体光器件中ZnSeTe p侧接触层的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Kobayashi;I. Nomura;K. Murakami;and K. Kishino;M.Onoda;高松眞吾,野村一郎,小林俊輝,岸野克巳;小野田光宣;高松眞吾
• 通讯作者: 高松眞吾