Preparation of multiferroic thin film by low temperature vapor deposition

低温气相沉积制备多铁性薄膜

基本信息

批准号：
19360292
负责人：
MASUMOTO Hiroshi
金额：
$ 12.9万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

Development of the multi-functional materials which have two or more functions has been required for a high integration, high functionality and energy saving of the next-generation device. In this research, it succeeded in preparation of the multi-functional materials thin films which have both magnetic and dielectric properties such as Y-Fe-O and Co-Nb_2O_5 thin film by chemical vapor deposition and RF sputtering methods. Furthermore, new Ir and Ru system oxide thin film of electrode for dielectric materials were produced.

需要开发具有两个或多个功能的多功能材料，以实现高集成，高功能和节能的下一代设备。在这项研究中，它成功地制备了具有磁性和介电特性的多功能材料薄膜，例如Y-FE-O和Co-NB_2O_2O_5薄膜，通过化学蒸气沉积和RF溅射方法。此外，生产了用于介电材料的电极的新IR和RU系统氧化物薄膜。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Epitaxial growth of BaRuO_3 thin films on MgO substrates by laser ablation

激光烧蚀在MgO衬底上外延生长BaRuO_3薄膜

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 117
影响因子：
0
作者：
Ito;A; Masumoto;H; Goto;T; Sato;S
通讯作者：
S

Effect of composition on crystal phase and electrical property of Sr-Ir-O system prepared by SPS

成分对SPS制备Sr-Ir-O体系晶相和电性能的影响

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Ohno;B. Malic;H. Fukazawa;N. Wakiya;H. Suzuki;T. Matsuda;M. Kosec;Nittaya Keawprak-Rong Tu-Takashi Goto
通讯作者：
Nittaya Keawprak-Rong Tu-Takashi Goto

Characterization of alkaline earth metals ruthenate thin films

碱土金属钌酸盐薄膜的表征

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY 30
影响因子：
0
作者：
Ito;A; Masumoto;H; Goto;T; Sato;S
通讯作者：
S

Preparation of BaRuO_3 and BalrO_3 films by laser ablation

激光烧蚀法制备BaRuO_3和BalrO_3薄膜

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Key Eng.mater 336-338巻
影响因子：
0
作者：
H. Masumoto;A. Ito;Y. Kaneko;T. Goto
通讯作者：
T. Goto

MOCVD法によるY-Fe-O系薄膜の合成

MOCVD法合成Y-Fe-O薄膜

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
田中高太郎;増本博
通讯作者：
増本博

DOI：
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作者：
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发表时间：
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通讯作者：
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通讯作者：
中山将伸