Fabrication of high-density and highly-oriented peapods on SiC substrates
Fabrication of high-density and highly-oriented peapods on SiC substrates
SiC 衬底上高密度、高定向豆荚的制备
批准号：
19510118
负责人：
HIDEAKI Okado
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
SiC(0001)基板を真空中で加熱して得られる高密度高配向カーボンナノチューブ(CNT)にC^<60>を内包させ、高密度高配向ピーポッドを作製した。作製したピーポッドは透過電子顕微鏡で構造を観察した。高分解能電子顕微鏡観察から、CNT内にC^<60>がランダムに内包されている様子が観察された。これは、用いたCNTが直径約5nmと比較的大きなマルチウォールであるため、C^<60>がCNT内に一次元的ではなく、ランダムに内包されたことによるものだと考えられる。
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会议论文
SiC表面分解法を用いて生成したCNTを用いたフラーレンピーポッドの作製
使用碳化硅表面分解法生成的碳纳米管制造富勒烯豆荚
使用碳化硅表面分解法生成的碳纳米管制造富勒烯豆荚
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[橋本健二, 大門秀朗]
通讯作者：
大門秀朗
DOI：
10.1016/j.apsusc.2008.02.009
发表时间：
2008-09
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
[J. Yoshida;Y. Yonekubo;T. Nakanishi;H. Okado;M. Naitoh;T. Sakata;H. Mori]
通讯作者：
J. Yoshida;Y. Yonekubo;T. Nakanishi;H. Okado;M. Naitoh;T. Sakata;H. Mori
SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製
SiC(0001)衬底上高密度、高取向豆荚的制备
SiC(0001)衬底上高密度、高取向豆荚的制备
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[橋本健二, 大門秀朗, 内藤正路]
通讯作者：
内藤正路
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