Fabrication of high-density and highly-oriented peapods on SiC substrates

SiC 衬底上高密度、高定向豆荚的制备

• 批准号: 19510118
• 负责人: HIDEAKI Okado
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19510118/
• 关键词: ピーポッド; カーボンナノチューブ; フラーレン; シリコンカーバイド; ナノ材料創製

SiC(0001)基板を真空中で加熱して得られる高密度高配向カーボンナノチューブ(CNT)にC^<60>を内包させ、高密度高配向ピーポッドを作製した。作製したピーポッドは透過電子顕微鏡で構造を観察した。高分解能電子顕微鏡観察から、CNT内にC^<60>がランダムに内包されている様子が観察された。これは、用いたCNTが直径約5nmと比較的大きなマルチウォールであるため、C^<60>がCNT内に一次元的ではなく、ランダムに内包されたことによるものだと考えられる。

SiC(0001) substrate is heated in vacuum to obtain high density and high alignment coating (CNT)<60>. The structure is observed through an electronic microscope. High resolution electron microscope observation, CNT inner layer C^<60>C The diameter of CNT is about 5nm<60>.

项目成果

SiC表面分解法を用いて生成したCNTを用いたフラーレンピーポッドの作製

使用碳化硅表面分解法生成的碳纳米管制造富勒烯豆荚

• 发表时间: 2008
• 作者: 橋本健二;大門秀朗
• 通讯作者: 大門秀朗

Influence of the vacuum level upon the growth of carbon nanotubes on silicon carbide surface

• DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.02.009
• 发表时间: 2008-09
• 期刊: Applied Surface Science
• 影响因子: 6.7
• 作者: J. Yoshida;Y. Yonekubo;T. Nakanishi;H. Okado;M. Naitoh;T. Sakata;H. Mori

SiC(0001)基板上での高密度高配向ピーポッドの作製

SiC(0001)衬底上高密度、高取向豆荚的制备

• 发表时间: 2009
• 作者: 橋本健二;大門秀朗;内藤正路
• 通讯作者: 内藤正路