Dynamic analyses of nano-structures and states at interface of resistive random access memory
Dynamic analyses of nano-structures and states at interface of resistive random access memory
批准号:
19560029
负责人:
ISHII Masashi
金额:
$3.08万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
メモリ効果としての応用が期待される巨大な抵抗変化を伴う界面の酸化・還元反応について、動的解析と制御を試みた。X線回折による結晶性評価、メモリ特性、X線反射率によるデバイスの層構造の評価、誘電緩和による構造と電気特性の相関など、統合分析を行った。界面化学反応の活性中心を生み出す核の形成制御、酸化・還元のバランスをとる複合酸化物の形成など、新しいデバイス実現へのアプローチを示した。
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有機金属分解法によって作製したY2O3薄膜のX線反射率測定
有机金属分解法制备Y2O3薄膜的X射线反射率测量
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石井真史, 桜井健次]
通讯作者:
桜井健次
二段階プロセスで成膜したイットリア薄膜の結晶性とフッ素系ハロゲンプラズマ耐性
两步法氧化钇薄膜的结晶度及耐氟卤素等离子体性能
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石井真史, 池田直樹, 津谷大樹, 桜井健次]
通讯作者:
桜井健次
金属/Y2O3界面における低温化学反応 : 誘電緩和による評価
金属/Y2O3 界面的低温化学反应:通过介电弛豫进行评估
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石井真史, 中尾愛子, 桜井健次]
通讯作者:
桜井健次
Thermal and electric data writing into metal/oxide interface: 2D reactions at metal/yttria interface observed by x-ray
将热数据和电数据写入金属/氧化物界面:通过 X 射线观察金属/氧化钇界面处的二维反应
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Ishii, A. Nakao, K. Sakurai]
通讯作者:
K. Sakurai
Chemical Data Writing into Metal/oxide Interface: Characterization of Low Dimensional Interface Reactions by I-V Measurements
将化学数据写入金属/氧化物界面:通过 I-V 测量表征低维界面反应
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
MRS Proceedings 1056E
影响因子:
--
作者:
[M. Ishii, A. Nakao, and K. Sakurai]
通讯作者:
and K. Sakurai
共 23 条
Approaches to 10 times intensification of rare-earth doped materials: Identification of luminescence quenching factors using microwave absorption properties
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批准号:26420287
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.24万
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财政年份:2014
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负责人:ISHII Masashi
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依托单位:
Development of photo-excited dielectric relaxation method : selective and quantitative analyses of excitation and relaxation processes of photoactive sites.
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批准号:21560037
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.16万
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财政年份:2009
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负责人:ISHII Masashi
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依托单位:
海外基金