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Formation and magnetic properties of ferromagnetic Fe3Si nanodots

铁磁性Fe3Si纳米点的形成及其磁性能

基本信息

批准号：
19710088
负责人：
NAKAMURA Yoshiaki
金额：
$ 2.24万
依托单位：
Osaka University (2008)The University of Tokyo (2007)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe3Si ナノドットを超高密度(>10^>12cm-2)に形成する技術を開発した。鉄とSiの組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nm サイズの半球状Fe3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。極薄Si酸化膜を用いて、数nm程度のエピタキシャルFe_3Siナノドットを超高密度(>10^<12>cm^<-2>)に形成する技術を開発した。鉄とSi の組成比を微小変化させることで、ナノドット形状が制御できることがわかった。数nmサイズの半球状Fe_3Si ナノドットは、室温では超常磁性を示すが、ナノドットを扁平化すると、強磁性-超常磁性転位温度が室温まで増加することを発見した。このナノドット形状と磁性の強い相関を詳細に調べることで、デバイス応用で必要とされる"室温動作"のためのナノドット形成条件を見出した。

Extremely thin Si を acidification membrane with いて, degree of several nm のエピタキシャル Fe3Si ナノドットを ultrahigh density (> 10 ^ 12 cm - > 2) に form する technology を open 発した. An iron objects と Si の than を tiny variations change させることで, ナノドット shape が suppression できることがわかった. Several nm サイズの half globular Fe3Si ナノドットは, room temperature では supernormal magnetic を shown すが, ナノドットを flattening すると, strong magnetic - paranormal が room temperature magnetic planning a temperature まで raised plus することを発 see した. このナノドット shape と strong magnetic のい phase masato を detailed に adjustable べることで, デバイス応 with で necessary とされる "room temperature action" のためのナノドット forming conditions を shows した. Extremely thin Si を acidification membrane with いて, degree of several nm のエピタキシャル Fe_3Si ナノドットを ultrahigh density (> 10 ^ < 12 > cm ^ < - > 2) に form する technology を open 発した. An iron objects と Si の than を tiny variations change させることで, ナノドット shape が suppression できることがわかった. Several nm サイズの half globular Fe_3Si ナノドットは, room temperature では supernormal magnetic を shown すが, ナノドットを flattening すると, strong magnetic - paranormal が room temperature magnetic planning a temperature まで raised plus することを発 see した. このナノドット shape と strong magnetic のい phase masato を detailed に adjustable べることで, デバイス応 with で necessary とされる "room temperature action" のためのナノドット forming conditions を shows した.