权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Dislocation-less heteroepitaxy by control of lattice mismatch strain using arranged elastically-strain-relaxed nanodots

通过使用排列的弹性应变松弛纳米点控制晶格失配应变来实现无位错异质外延

基本信息

批准号：
21686006
负责人：
NAKAMURA Yoshiaki
金额：
$ 17.14万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

Self-organization technique of Ge nanodots epitaxially grown on Si substrates was developed. Using nanodots formed by ultrathin SiO_2 film technique as seed crystals, we developed epitaxial growth technique of films with ultrasmall amount of dislocations on Si substrates, which we call as nanocontact epitaxy. We formed epitaxial growth of Ge and GaSb films on Si substrates. Ge films on Si(001) substrates formed by nanocontact epitaxy, which were as thin as 100 nm, had surface roughness of～0. 4 nm, etch pit density of 10^4-10^5cm^<-2>, namely, high quality. In these Ge epitaxial films, lattice mismatch strain was almost completely relaxed due to the elastically-strain-relaxed nanodots which were seed crystals, despite the ultrasmall amount of dislocations.

发展了在硅衬底上外延生长的Ge纳米点的自组织技术。利用超薄SiO_2薄膜技术形成的纳米点作为种子晶体，发展了在硅衬底上外延生长超少量位错薄膜的技术，我们称之为纳米接触外延。我们在硅衬底上外延生长了Ge和GaSb薄膜。采用纳米接触外延技术在Si(001)衬底上生长的Ge薄膜厚度为100 nm，表面粗糙度约为0。4 nm，蚀坑密度为10^4~10^5 cm~(-2)，即高质量。在这些Ge外延薄膜中，晶格失配应变几乎完全松弛，这是由于弹性应变松弛的纳米点是种子晶体，尽管位错的数量非常少。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds

DOI：
10.1088/0957-4484/22/26/265301
发表时间：
2011-07
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
Y. Nakamura;T. Miwa;M. Ichikawa
通讯作者：
Y. Nakamura;T. Miwa;M. Ichikawa

刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成

边位错网络选择性刻蚀形成SiGe纳米点二维阵列结构

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
中村芳明;高橋雅彦;吉川純、中塚修、財満鎭明;酒井朗
通讯作者：
酒井朗

ブロックコポリマーPEO_m-b-PMA(Az)_nを用いたSi(001)極薄酸化膜上Ge量子ドット配列構造の結晶性および発光特性の評価

利用嵌段共聚物PEO_m-b-PMA(Az)_n评价Si(001)超薄氧化膜上Ge量子点阵列结构的结晶度和发光性能

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
村山昭之;中村芳明;渡辺亮子;彌田智一;市川昌和
通讯作者：
市川昌和

Structural Analysis of Si-Based Nanodot Arrays Self-Organized by Selective Etching of SiGe/Si Films

SiGe/Si 薄膜选择性刻蚀自组织硅基纳米点阵列的结构分析

DOI：
10.1143/jjap.50.08lb11
发表时间：
2011
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys.
影响因子：
0
作者：
Masahiko Takahashi;Yoshiaki Nakamura;Jun Kikkawa;Osamu Nakatsukal;Shigeaki Zaimal;Akira Sakai
通讯作者：
Akira Sakai

Luminescence at 1. 5μm from Si/ GeSn nanodot/ Si structures2

Si/GeSn 纳米点/Si 结构在 1.5μm 处发光2