Evolution of physical properties by the transition from intermediate valence to heavy fermion state
Evolution of physical properties by the transition from intermediate valence to heavy fermion state
从中间价态到重费米子态的转变导致物理性质的演变
批准号：
19740221
负责人：
TSUJII Naihito
金额：
$2.3万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
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英文摘要
価数揺動はf電子系の重要課題であるが、近藤温度が低い物質においては、この効果はほとんど無視されてきた。本研究では量子臨界点に近いYbCu3.5Al1.5や磁気秩序を示すYbCu3Al2においても価数揺動が起きていることを、試料作成と物性測定により明らかにした。また半導体FeGa3やFeSiは価数揺動によってバンドギャップが開いている可能性が議論されていたが、本研究により古典的バンド半導体であることが示された。
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The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolutionx-ray absorption spectroscopy
通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变
通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Physica B vol.40
影响因子：
--
作者：
[N. Tsujii, H. Yamaoka, H. Oohashi, I. Jarrige, D. Nomoto, K. Takahiro, K. Ozaki, K. Kawatsura]
通讯作者：
K. Kawatsura
FeGa3におけるエネルギーギャップの観測
FeGa3 能隙的观察
FeGa3 能隙的观察
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松岡京, 堀田知佐, Hitoshi Sugawara, 辻井直人 他, C.Hotta, Nguyen Due Dung, 堀田知佐, 辻井直人 他]
通讯作者：
辻井直人 他
The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolution X-ray absorption spectroscopy
通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变
通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Physica B 403
影响因子：
--
作者：
[N. Tsujii, 他]
通讯作者：
他
超伝導体YbGaxSi2-xの組成依存性
超导体 YbGaxSi2-x 的成分依赖性
超导体 YbGaxSi2-x 的成分依赖性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.Abdel-Jawad, 寺崎一郎, 佐々木孝彦^A, 米山直樹, 小林典男, 上江洲由晃, 堀田知佐, Hiroyuki Chudo, 辻井直人 他]
通讯作者：
辻井直人 他
Intermediate-Valence Behavior of YbCu5-xAlx around Quantum Critical Point Measured by Resonant Inelastic X-ray Scattering at Yb L3 Absorption Edge
Yb L3 吸收边共振非弹性 X 射线散射测量 YbCu5-xAlx 量子临界点附近的中间价行为
Yb L3 吸收边共振非弹性 X 射线散射测量 YbCu5-xAlx 量子临界点附近的中间价行为
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan 76
影响因子：
--
作者：
[K. Yamamoto, 他]
通讯作者：
他
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