Evolution of physical properties by the transition from intermediate valence to heavy fermion state

从中间价态到重费米子态的转变导致物理性质的演变

• 批准号: 19740221
• 负责人: TSUJII Naihito
• 金额: $ 2.3万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19740221/
• 关键词: 強相関系; 価数揺動; 重い電子系; 非フェルミ液体; 価数揺動系; f電子系; 結晶場分裂; 近藤温度; 量子臨界点; 磁性; 超伝導

価数揺動はf電子系の重要課題であるが、近藤温度が低い物質においては、この効果はほとんど無視されてきた。本研究では量子臨界点に近いYbCu3.5Al1.5や磁気秩序を示すYbCu3Al2においても価数揺動が起きていることを、試料作成と物性測定により明らかにした。また半導体FeGa3やFeSiは価数揺動によってバンドギャップが開いている可能性が議論されていたが、本研究により古典的バンド半導体であることが示された。

价波动是F-电子系统的重要问题，但是这种效果在近孔温度较低的材料中被忽略了。这项研究表明，价值波动发生在接近量子临界点的ybcu3.5al1.5中，并且通过样品制备和物理性能测量，它表现出磁性的YBCU3AL2。此外，尽管已经讨论过，由于半导体FEGA3和FESI的价波动可能会打开频段隙，但这项研究表明它们是经典的频带半导体。

项目成果

The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolutionx-ray absorption spectroscopy

通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica B vol.40
• 作者: N. Tsujii;H. Yamaoka;H. Oohashi;I. Jarrige;D. Nomoto;K. Takahiro;K. Ozaki;K. Kawatsura
• 通讯作者: K. Kawatsura

FeGa3におけるエネルギーギャップの観測

FeGa3 能隙的观察

• 发表时间: 2008
• 作者: 松岡京;堀田知佐;Hitoshi Sugawara;辻井直人 他;C.Hotta;Nguyen Due Dung;堀田知佐;辻井直人 他
• 通讯作者: 辻井直人 他

The semiconductor to metal transition in FeSi1-xGex probed by high resolution X-ray absorption spectroscopy

通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSi1-xGex 中的半导体到金属的转变

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica B 403
• 作者: N. Tsujii;他
• 通讯作者: 他

The semiconductor to metal transition in FeSil-xGex probed by high resolution X-ray absorption spectroscopy

通过高分辨率 X 射线吸收光谱探测 FeSil-xGex 中的半导体到金属的转变

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica B 403
• 作者: Chisa Hotta;Naokazu Shibata;N. Tsujii
• 通讯作者: N. Tsujii

Observation of Energy Gap in FeGa3

FeGa3 能隙的观察

• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan vol.77
• 作者: N. Tsujii;H. Yamaoka;M. Matsunami;R. Eguchi;Y. Ishida;Y. Senba;H. Ohashi;S. Shin;T. Furubayashi;H. Abe;H. Kitazawa
• 通讯作者: H. Kitazawa