Characteristics of Ta diffusion barrier

Ta扩散势垒的特性

• 批准号: 19760015
• 负责人: SHINKAI Satoko
• 金额: $ 1.82万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760015/
• 关键词: エピタキシャル成長; 拡散バリア; LSI; 配線; 銅; タンタル; スパッタ; Si

Taをスパッタ法にてSi基板上に堆積させ,基板温度上昇と真空熱処理によりバルクと同じ構造のα-Ta相が得られるか検証した.その結果,基板温度上昇では,α-Taの形成には温度が大きく影響し,また,用いるSi基板の配向面が異なることで,その形成温度に違いが見られることがわかった.加えて,超高真空下では,簡便なスパッタ法でも,適切な成膜条件下で基板温度を変化させることにより,得られる薄膜の結晶構造をβ-Taとα-Taに制御可能であり,かつ,α-Ta(110)面をエピタキシャル成長させ得ることが可能であることを明らかとした.一方,真空熱処理では,高真空中では熱処理前に一度大気曝露した際,Ta膜表面への吸着酸素の影響で,α-Ta単一相膜は得られなかったが,超高真空中で熱処理を施すことで,250℃の低温熱処理で,低抵抗なα-Ta単一相膜が得られ,かつ300℃以上では,固相エピタキシャル成長することがわかった.通常,固相エピタキシャル成長は複合酸化膜やシリサイド等で知られているが,このような単純な金属/Si系で観察されることは希有であり.材料学的に大変有用な知見が得られた.

Ta deposition on Si substrate, substrate temperature rise, vacuum heat treatment and α-Ta phase formation As a result, the substrate temperature rises, the formation temperature of α-Ta is greatly affected, and the alignment surface of Si substrate is different. The crystal structure of the thin film can be controlled by β-Ta and α-Ta under ultra-high vacuum conditions. On the one hand, vacuum heat treatment, high vacuum heat treatment before a degree of exposure to high temperature,Ta film surface adsorption element effect,α-Ta single phase film can be obtained, ultra-high vacuum heat treatment, 250 ℃ low temperature heat treatment, low resistance α-Ta single phase film can be obtained, from 300℃ above, solid phase growth. Usually, solid phase growth is complex acidification film, such as acid film, etc. It is known that pure metal/Si system is observed. Materials science is very useful.

项目成果

Crystal Orientation of Epitaxial (110)α-Ta Thin Films Grown on (100) and (111)Si Substrates by Sputtering

(100)和(111)Si衬底上溅射外延(110)α-Ta薄膜的晶体取向

• 发表时间: 2008
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics vol.47
• 作者: M. Kudo;S. Shinkai;H. Yanagisawa;K. Sasaki;and Y. Abe
• 通讯作者: and Y. Abe

TiNゲートAIGaN/GaN HFETの特性評価

TiN 栅极 AIGaN/GaN HFET 的表征

• 发表时间: 2007
• 作者: 敖 金平;澤田剛一;新海聡子;岡田政也;胡 成余;廣瀬和之;河合弘治;大野泰夫
• 通讯作者: 大野泰夫

n-GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性

n-GaN 上的高温处理 ZrN 电极肖特基特性

• 发表时间: 2007
• 作者: 澤田剛一;新海聡子;敖 金平;岡田政也;胡 成余;廣瀬和之;河合弘治;大野泰夫
• 通讯作者: 大野泰夫

TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価

TiN 栅极 AlGaN/GaN HFET 的表征

• 发表时间: 2007
• 作者: Masahiro Kudo;Satoko Shinkai;Hideto Yanagisawa;Katsutaka Sasaki;and Yoshio Abe;柴田智晴,君崎英史,佐々木克孝,山根美佐雄,阿部良夫,新海聡子;敖金平,澤田剛一,新海聡子,岡田政也,胡成余,廣瀬和之,河合弘治,大野泰夫
• 通讯作者: 敖金平,澤田剛一,新海聡子,岡田政也,胡成余,廣瀬和之,河合弘治,大野泰夫

Hfを添加したNb合金による陽極酸化膜キャパシタの損失特性

添加Hf的Nb合金阳极氧化膜电容器的损耗特性

• 发表时间: 2008
• 作者: Masahiro Kudo;Satoko Shinkai;Hideto Yanagisawa;Katsutaka Sasaki;and Yoshio Abe;柴田智晴,君崎英史,佐々木克孝,山根美佐雄,阿部良夫,新海聡子
• 通讯作者: 柴田智晴,君崎英史,佐々木克孝,山根美佐雄,阿部良夫,新海聡子