Establishment of gallium oxide manufacturing process for trench
Establishment of gallium oxide manufacturing process for trench
沟槽用氧化镓制造工艺的建立
批准号：
18K04239
负责人：
SHINKAI Satoko
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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エッチング条件によるβ-Ga2O3表面形態への影響
刻蚀条件对β-Ga2O3表面形貌的影响
刻蚀条件对β-Ga2O3表面形貌的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永澤幹太, 深瀬晶予, 森 翔平, 荒川元孝, 八代 諭, 石垣 泰, 金井 浩, 森山裕貴，新海聡子]
通讯作者：
森山裕貴，新海聡子
低バイアスドライエッチングによる多結晶β-Ga2O3の表面粗さ評価
低偏压干法刻蚀评价多晶β-Ga2O3表面粗糙度
低偏压干法刻蚀评价多晶β-Ga2O3表面粗糙度
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Pham Tien Dat, Atsushi Kanno, Keizo Inagaki, Francois Rottenberg, Jerome Louveaux, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi, 森山裕貴，西山和輝，宇崎滉太，川棚湧貴，新海聡子]
通讯作者：
森山裕貴，西山和輝，宇崎滉太，川棚湧貴，新海聡子
ICP-RIEを使用したスキャロップ削減方法の検討
使用 ICP-RIE 减少扇贝方法的考虑
使用 ICP-RIE 减少扇贝方法的考虑
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永澤幹太, 深瀬晶予, 森 翔平, 荒川元孝, 八代 諭, 石垣 泰, 金井 浩, Yuusuke Takashima ,Masanobu Haraguchi andYoshiki Naoi, 宇崎滉太，穴井宏樹，川棚湧貴，新海聡子]
通讯作者：
宇崎滉太，穴井宏樹，川棚湧貴，新海聡子
低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価
通过低偏压 ICP-RIE 评估 n-GaN 表面粗糙度
通过低偏压 ICP-RIE 评估 n-GaN 表面粗糙度
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[宇﨑 滉太, 新海 聡子, 大槻 秀夫]
通讯作者：
大槻 秀夫
ミストCVD法によって成膜したGa2O3の結晶性評価
雾气CVD法沉积Ga2O3的结晶度评价
雾气CVD法沉积Ga2O3的结晶度评价
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Toshimasa Umezawa, Atsushi Kanno, Pham Tien Dat, Atsushi Matsumoto, Kouichi Akahane, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi, 西山和輝，森山裕貴，新海聡子]
通讯作者：
西山和輝，森山裕貴，新海聡子
共 6 条
Characteristics of Ta diffusion barrier
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批准号：19760015
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.82万
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财政年份：2007
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负责人：SHINKAI Satoko
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依托单位：
海外基金