Establishment of gallium oxide manufacturing process for trench

沟槽用氧化镓制造工艺的建立

• 批准号: 18K04239
• 负责人: SHINKAI Satoko
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K04239/
• 关键词: 酸化ガリウム; エッチング; 表面粗さ; ドライエッチング; 表面形態; エッチングレート; 塩素; 三塩化ホウ素; バイアス電力; プロセス圧力; ICP電力; ICP-RIE; GaN; β-Ga2O3; Cl2; BCl3; Ga2O3; トレンチ; 熱処理

项目成果

エッチング条件によるβ-Ga2O3表面形態への影響

刻蚀条件对β-Ga2O3表面形貌的影响

• 发表时间: 2020
• 作者: 永澤幹太;深瀬晶予;森 翔平;荒川元孝;八代 諭;石垣 泰;金井 浩;森山裕貴，新海聡子
• 通讯作者: 森山裕貴，新海聡子

低バイアスドライエッチングによる多結晶β-Ga2O3の表面粗さ評価

低偏压干法刻蚀评价多晶β-Ga2O3表面粗糙度

• 发表时间: 2018
• 作者: Pham Tien Dat;Atsushi Kanno;Keizo Inagaki;Francois Rottenberg;Jerome Louveaux;Naokatsu Yamamoto;Tetsuya Kawanishi;森山裕貴，西山和輝，宇崎滉太，川棚湧貴，新海聡子
• 通讯作者: 森山裕貴，西山和輝，宇崎滉太，川棚湧貴，新海聡子

低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価

通过低偏压 ICP-RIE 评估 n-GaN 表面粗糙度

• 发表时间: 2018
• 作者: 宇﨑 滉太;新海 聡子;大槻 秀夫
• 通讯作者: 大槻 秀夫

ICP-RIEを使用したスキャロップ削減方法の検討

使用 ICP-RIE 减少扇贝方法的考虑

• 发表时间: 2018
• 作者: 永澤幹太;深瀬晶予;森 翔平;荒川元孝;八代 諭;石垣 泰;金井 浩;Yuusuke Takashima ,Masanobu Haraguchi andYoshiki Naoi;宇崎滉太，穴井宏樹，川棚湧貴，新海聡子
• 通讯作者: 宇崎滉太，穴井宏樹，川棚湧貴，新海聡子

ミストCVD法によって成膜したGa2O3の結晶性評価

雾气CVD法沉积Ga2O3的结晶度评价

• 发表时间: 2018
• 作者: Toshimasa Umezawa;Atsushi Kanno;Pham Tien Dat;Atsushi Matsumoto;Kouichi Akahane;Naokatsu Yamamoto;Tetsuya Kawanishi;西山和輝，森山裕貴，新海聡子
• 通讯作者: 西山和輝，森山裕貴，新海聡子