Formation of three-dimensional quantum nanostructure networks based on compound semiconductor porous structuresq
Formation of three-dimensional quantum nanostructure networks based on compound semiconductor porous structuresq
基于化合物半导体多孔结构的三维量子纳米结构网络的形成q
批准号：
19760208
负责人：
SATO Taketomo
金额：
$2.35万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
電解液と半導体界面の電気化学反応により形成される多孔質(ポーラス)構造を利用し、少ない電子を局所的に閉じ込めて制御する「3次元量子ナノネットワーク」の基礎技術を確立した。本構造は、直径数100nm 深さ数μm の直線的な孔が配列した高密度ナノ構造が基盤となっており、非常に大きな表面積と優れた伝導特性および光学的特性を有し、高感度化学センサや高効率太陽光発電素子の基本構造として有望性を示す一連の研究成果を得た。
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DOI：
10.1143/jjap.46.4375
发表时间：
2007-07
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[T. Fujino;Taketomo Sato;T. Hashizume]
通讯作者：
T. Fujino;Taketomo Sato;T. Hashizume
Electrochemical formation and sensor application of InP porousna nostructures
InP多孔纳米结构的电化学形成及其传感器应用
InP多孔纳米结构的电化学形成及其传感器应用
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume]
通讯作者：
N. Yoshizawa and T. Hashizume
pH Response Characteristics of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Onen-aate FETs
使用 InP Onen-aate FET 的液相化学传感器的 pH 响应特性
使用 InP Onen-aate FET 的液相化学传感器的 pH 响应特性
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume]
通讯作者：
A. Mizohata and T. Hashizume
Electrochemical formation and functionalization of InP porous nano structures and their application to chemical sensors
InP多孔纳米结构的电化学形成和功能化及其在化学传感器中的应用
InP多孔纳米结构的电化学形成和功能化及其在化学传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Mizohata, N. Yoshizawa, T.Sato and T. Hashizume]
通讯作者：
T.Sato and T. Hashizume
Electrochemical formation of InP porous nanostructures and its application to amperometric chemical sensors
InP多孔纳米结构的电化学形成及其在电流化学传感器中的应用
InP多孔纳米结构的电化学形成及其在电流化学传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sato, T. Fujino, A. Mizohata, T. Hashizume]
通讯作者：
T. Hashizume
共 24 条
Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors
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批准号：25289079
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2013
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负责人：SATO Taketomo
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依托单位：
High-density formation of functionalized nano-interfaces based on semiconductor porous structures for high-sensitive chemical-sensing technology
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批准号：21686028
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$16.56万
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财政年份：2009
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负责人：SATO Taketomo
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依托单位：
海外基金