High-density formation of functionalized nano-interfaces based on semiconductor porous structures for high-sensitive chemical-sensing technology

基于半导体多孔结构的功能化纳米界面的高密度形成，用于高灵敏化学传感技术

• 批准号: 21686028
• 负责人: SATO Taketomo
• 金额: $ 16.56万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21686028/
• 关键词: 半導体ナノ構造; 多孔質構造; 機能修飾; 化学センサ; 電気化学

We proposed a novel ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) having a porous-gate structure and established necessary basic technologies. The straight pores were successfully formed vertically on the substrate by the optimized electrochemical conditions. The functionalization of the pore surface was achieved by the deposition of the metal particles and organic molecules after the complete removal of the irregular top layer form the porous structures. Our proposed ISFETs with porous structures demonstrated good performance with a large current signal in the electrolyte, showing promise for high-sensitive chemical sensors.

我们提出了一种新型的离子敏感晶体效应晶体管（ISFET）具有多孔栅极结构并确定了必要的基本技术。通过优化的电化学条件在底物上成功形成直孔。孔隙表面的功能化是通过金属颗粒和有机分子的沉积来实现的，在完全去除不规则的顶层形成多孔结构的情况下。我们提出的具有多孔结构的ISFET表现出良好的性能，电解质中的电流信号很大，显示出对高敏化学传感器的希望。

项目成果

Fundamental Study of InP-Based Open-Gate Field Effect Transistors for Application to Liquid-Phase Chemical Sensors

用于液相化学传感器的 InP 基开栅场效应晶体管的基础研究

• DOI: 10.1143/jjap.48.091102
• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: N. Yoshizawa;T. Sato;T. Hashizume
• 通讯作者: T. Hashizume

InP多孔質構造の光吸収特性と光電変換

InP多孔结构的光吸收特性及光电转换

• 发表时间: 2010
• 作者: 佐藤威友;岡崎拓行
• 通讯作者: 岡崎拓行

電気化学的手法を用いたInP多孔質構造の形成と光電変換素子への応用

电化学法制备InP多孔结构及其在光电转换器件中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 神保亮平;岡崎拓行;佐藤威友
• 通讯作者: 佐藤威友

Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process

电化学过程形成的InP多孔结构的光吸收性能

• 发表时间: 2012
• 作者: Y. Kumazaki;T. Kudo;Z. Yatabe;T.Sato
• 通讯作者: T.Sato

Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices

• DOI: 10.1016/j.apsusc.2013.04.046
• 发表时间: 2013-08-15
• 期刊: APPLIED SURFACE SCIENCE
• 影响因子: 6.7
• 作者: Kumazaki, Yusuke;Kudo, Tomohito;Sato, Taketomo
• 通讯作者: Sato, Taketomo