Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors

使用低损伤工艺对氮化物半导体表面进行纳米级控制，用于高灵敏度化学传感器

基本信息

  • 批准号：
    25289079
  • 负责人：
    SATO Taketomo
  • 金额：
    $ 11.32万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination
背面照明下 GaN 多孔结构的偏压相关光吸收特性
  • DOI：
    10.1149/06902.0161ecst
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Sato;H. Kida;Y. Kumazaki;and Z. Yatabe
  • 通讯作者：
    and Z. Yatabe
Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures
InP多孔结构上Pt肖特基界面的形成及光电测量
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    R. Jinbo;Y. Kumazaki;Z. Yatabe and T. Sato
  • 通讯作者：
    Z. Yatabe and T. Sato
Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application
紫外光照射下电化学形成 GaN 多孔结构用于光电化学应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Sato;A. Watanabe;Y. Kumazaki;Z. Yatabe
  • 通讯作者：
    Z. Yatabe
AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング
AlGaN/GaN 异质结构上 p-GaN 层的选择性电化学蚀刻
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    熊崎 祐介;佐藤 威友;橋詰 保
  • 通讯作者：
    橋詰 保
III-V族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用
III-V族化合物半导体多孔结构的形成及其在功能器件中的应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    佐藤 威友，熊崎 祐介;渡部 晃生
  • 通讯作者：
    渡部 晃生
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  • 通讯作者：
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    $ 11.32万
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  • 资助金额：
    $ 11.32万
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