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Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors
使用低损伤工艺对氮化物半导体表面进行纳米级控制，用于高灵敏度化学传感器
基本信息
- 批准号：25289079
- 负责人：
- 金额：$ 11.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination
背面照明下 GaN 多孔结构的偏压相关光吸收特性
- DOI：10.1149/06902.0161ecst
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sato;H. Kida;Y. Kumazaki;and Z. Yatabe
- 通讯作者：and Z. Yatabe
Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures
InP多孔结构上Pt肖特基界面的形成及光电测量
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Jinbo;Y. Kumazaki;Z. Yatabe and T. Sato
- 通讯作者：Z. Yatabe and T. Sato
Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application
紫外光照射下电化学形成 GaN 多孔结构用于光电化学应用
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sato;A. Watanabe;Y. Kumazaki;Z. Yatabe
- 通讯作者：Z. Yatabe
AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング
AlGaN/GaN 异质结构上 p-GaN 层的选择性电化学蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：熊崎 祐介;佐藤 威友;橋詰 保
- 通讯作者：橋詰 保
電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN多孔質ナノ構造の形成
电化学法和背面照射法形成GaN多孔纳米结构
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渡部 晃生;熊崎 祐介;谷田部 然治;佐藤 威友
- 通讯作者：佐藤 威友
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Fabrication of porous gallium nitride (GaN) utilizing two-step etching method and control of its optical properties
利用两步刻蚀法制备多孔氮化镓（GaN）及其光学性能的控制
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- 影响因子：0
- 作者：
SATO Taketomo;TOGUCHI Masachika - 通讯作者：
TOGUCHI Masachika
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