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Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors

Nanoscale control of nitride semiconductor surface using low-damaged process for high-sensitive chemical sensors
使用低损伤工艺对氮化物半导体表面进行纳米级控制，用于高灵敏度化学传感器
批准号：
25289079
负责人：
SATO Taketomo
金额：
$11.32万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289079/
关键词：
窒化物半導体化学センサ光電気化学多孔質構造低損傷プロセス高電子移動度トランジスタエネルギー変換半導体物性表面・界面物性電子・電気材料ナノ材料

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Bias-dependent Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures under Back-side Illumination
背面照明下 GaN 多孔结构的偏压相关光吸收特性
DOI： 10.1149/06902.0161ecst
发表时间： 2015
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [T. Sato, H. Kida, Y. Kumazaki, and Z. Yatabe]
通讯作者： and Z. Yatabe
Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures
InP多孔结构上Pt肖特基界面的形成及光电测量
DOI： --
发表时间： 2013
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [R. Jinbo, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato]
通讯作者： Z. Yatabe and T. Sato
Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application
紫外光照射下电化学形成 GaN 多孔结构用于光电化学应用
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Sato, A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe]
通讯作者： Z. Yatabe
AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング
AlGaN/GaN 异质结构上 p-GaN 层的选择性电化学蚀刻
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [熊崎 祐介, 佐藤 威友, 橋詰 保]
通讯作者： 橋詰 保
共 32 条
    High-density formation of functionalized nano-interfaces based on semiconductor porous structures for high-sensitive chemical-sensing technology
    • 批准号：
      21686028
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $16.56万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SATO Taketomo
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Formation of three-dimensional quantum nanostructure networks based on compound semiconductor porous structuresq
    • 批准号：
      19760208
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.35万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      SATO Taketomo
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金