Hochdrucksynthese neuer Nitride vom Typ M3-xAxN4 (M, A=V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Pb; 0«=x«=3) und ihre Eigenschaften

[3]在高温、高温、高温、高温等条件下，合成新型氮化物A3-xBxN4(A,B = Ti,Zr,Hf， C,Si,Pb; 0< x <3) binärer and ternärer。[4] [9] [9] [9] [9] [9] [9] [9] [9] [4] [7] [4] [7]弹性、力学与光电。本征特性与（元）稳定相。在高温高温高温下（温度为1000 ~ 4000 K），高温高温高温高温高温下（温度为1000 ~ 4000 K），在激光加热下（温度为50 GPa），激光加热下（温度为1000 ~ 4000 K），激光加热下（温度为50 GPa），激光加热下（温度为1000 ~ 4000 K）。Größere梦恩诺尔氮化物sollen ggfs。mittels vielstempel - hochdruckappartren hergestellt werden。(1) Untersuchung der Herstellbarkeit binärer Spinell-Nitride vom type A3B4(A = Ti,Zr,Hf) in Analogie zu den jngst entdeckten Spinell-Nitride element der IV. Hauptgruppe Si3N4Ge3N4 and Sn3N4。尼德里格斯特拉·冯·尼德里格斯特·德鲁和温控材料，模具材料，模具合成材料。瀑布死于herstellbaren neen Phasen keine Spinell-Struktur aufweisen， soll zusätzlich deren Struktur ermittelt werden。(2) Die Härte, Breite elektronische bandlcke，压缩与压缩模块der herstellbaren neen Phasen sollen bei Raumtemperatur gemessen werden。(3) Untersuchung der Herstellbarkeit ternärer spinell -氮化物类型A3-xN4（A,B = Ti,Zr,Hf，C,Si,Ge,Sn; x=1 oder 2）和bestimmuning ihrer Eigenschaften （wie in Punkten 1 und 2）。每一个理论都是如此，稳定性也同样如此binären随机系统。[2][2][2][3][3][3]。f_r die feste Lösung Si3-xTixN4 (0< x< 0,9) wurde die Möglichkeit vorhergesagt, durch die Variation von x die Breite der elektronischen bandl_cke zwischen 0 und 3.45 eV stufenlos einstein zu können。(4)实验结果表明，在高温高温下，Pb3N4与高温高温下的尖晶石结构存在一定的差异。Damit wäre die family von spinell - nitrogen - der element der IV. Hauptgruppe, mit Ausnahme von Kohlenstoff, komplett。

Im vorliegenden Vorhaben sollen Experimente zur Synthese neuer binärer und ternärer Nitride vom Typ A3-xBxN4(A,B = Ti,Zr,Hf, C,Si,Pb; 0< x <3) unter hohen Drücken und Temperaturen durchgeführt werden. Es soll überprüft werden, ob diese Verbindungen, wie theoretisch vorhergesagt, Spinell-Struktur aufweisen. Elastische, mechanische und optoelektronische Eigenschaften von (meta)stabilen Phasen sollen untersucht werden. Die SyntheseExperimente sollen vorerst in lasergeheizten DiamantstempelHochdruckzellen unter hohen Drücken (bis 50 GPa) bei Temperaturen zwischen 1000 und 4000 K durchgeführt werden. Größere Mengen neuer Nitride sollen ggfs. mittels Vielstempel-Hochdruckapparaturen hergestellt werden. Im einzelnen soll in folgenden Richtungen gearbeitet werden: (1) Untersuchung der Herstellbarkeit binärer Spinell-Nitride vom Typ A3B4(A = Ti,Zr,Hf) in Analogie zu den jüngst entdeckten Spinell-Nitriden der Elemente der IV. Hauptgruppe Si3N4Ge3N4 und Sn3N4. Ermittlung von niedrigsten Druck- und Temperaturbedingungen, die für die Synthese notwendig sind. Falls die herstellbaren neuen Phasen keine Spinell-Struktur aufweisen, soll zusätzlich deren Struktur ermittelt werden. (2) Die Härte, Breite elektronische Bandlücke, Kompressions- und Schubmoduln der herstellbaren neuen Phasen sollen bei Raumtemperatur gemessen werden. (3) Untersuchung der Herstellbarkeit ternärer Spinell-Nitride vom Typ A3-xN4(A,B = Ti,Zr,Hf,C,Si,Ge,Sn; x=1 oder 2) und Bestimmung ihrer Eigenschaften (wie in Punkten 1 und 2). Sechs dieser Verbindungen sollen, nach theoretischen Berechnungen, stabiler sein als die Mischungen der binären Randsysteme. Von besonderem Interesse sind hier die Eigenschaften von Ti2CN4, das ein superhartes Material sein könnte. Für die feste Lösung Si3-xTixN4 (0< x< 0,9) wurde die Möglichkeit vorhergesagt, durch die Variation von x die Breite der elektronischen Bandlücke zwischen 0 und 3.45 eV stufenlos einstellen zu können. (4) Es soll untersucht werden, ob auch Pb3N4 bei hohen Drücken und Temperaturen Spinell-Struktur annimmt. Damit wäre die Familie von Spinell-Nitriden der Elemente der IV. Hauptgruppe, mit Ausnahme von Kohlenstoff, komplett.