Doping and aggregation of vacancies / Graphite inclusions and overlayers

空位的掺杂和聚集/石墨夹杂物和覆盖层

• 批准号: 5368692
• 负责人: Professor Dr. Oleg Pankratov
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5368692?language=en
• 关键词: Doping; aggregation; vacancies; Graphite; inclusions

Bei der Dotierung von SiC mit hohen Dotieratomkonzentrationen stellt die geringe Dotiereffizienz und das Auftreten ausgeprägter Diffusionseffekte eine Hürde auf dem Weg zum technologischen Erfolg des Material dar. Ziel des vorliegenden Teilprojektes ist es, mittels auf der Dichtefunktionaltheorie basierender ab initio Methoden ein grundlegendes Verständnis der bei der Dotierung von SiC auftretenden physikalischen Prozesse zu erlangen. Zwei fundamentale Aspekte der Dotierung sollen untersucht werden: die Dotieratomlöslichkeit (einschließlich Defektkomplexbildung und der Dotieratomkompensation) einerseits und die Mechanismen der Dotieratomdiffusion andererseits. Die Natur der substitutionell gebundenen Dotieratome Bor, Phosphor und Stickstoff und der mit diesen Dotieratomen verknüpften tiefen Defekte soll aufgeklärt werden und so die Voraussetzung für ein mikroskopisches Verständis der o.g. zentralen Aspekte geschaffen werden. Dabei kommt intrinsischen Defekten und ihrer Wechselwirkungen mit Dotieratomen insbesondere bei der Dotieratomdiffusion eine zentrale Rolle zu. Insofern schließt das Projekt die Behandlung von intrinsischen Defekten ein. Dies bildet die Grundlage für die Identifizierung komplexer intrinsischer Defektzentren, wie das DI-Photoluminiszenzzentrum und das Z1/Z2Zentrum. Mit dem Ziel der Defektidentifizierung werden Defektschwingungsmoden und Hyperfeinwechselwirkungsparameter für ausgewählte Defekte berechnet. Anhand der aus Experimenten gewonnenen ENDOR/ESR-Daten und Phononreplika können Modelle für die beobachteten Zentren entwickelt werden. Darüber hinaus erlaubt dieser Ansatz zusammen mit berechneten Umladungsniveaus eine Korrelation zwischen Spinresonanz-, Photoluminiszenzzentren und mittls elektrischer Charakterisiserung beobachteter Defektzentren herzustellen. Die Berechnung der Bildungsenergien von Dotieratomdefekten, intrinsischen Defekten und ihren Komplexen bildet die Grundlage für die Vorhersage des Defektgleichgewichtes und der Dotieratomlöslichkeit in Abhängigkeit der Lage des Fermi-Niveaus und der Stöchiometrie. Für potentielle Migrationsmechanismen sollen die Migrationspfade untersucht und Migrationsbarrieren berechnet werden. Anhand der Migrationsbarrieren und der Energetik von Defektreaktionen zur Bildung mobiler Komplexe zwischen Dotieratomen und intrinsischen Defekten werden die dominanten Migrationsmechanismen identifiziert.

[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Ziel des vorliegenden Teilprojektes ist, mittels auder der dichtefunctionaltheoretical basereader ab initialmethoden in grundlegendes Verständnis der der der Dotierung von SiC auftretenden physicalischen Prozesse zu erlangen。Zwei fundamentale Aspekte der Dotierung sollen untersucht werden: die Dotieratomlöslichkeit (einschließlich Defektkomplexbildung und der dotieratomcompensation) einterseits and die Mechanismen der Dotieratomdiffusion anderseits。Die nature der substitutionell gebundenen Dotieratomen Bor, Phosphor and Stickstoff und der mit diesen Dotieratomen verkn<e:1> pften tiefen Defekte soll aufgeklärt werden und so Die Voraussetzung frin microskopisches Verständis der o.g. zentralen Aspekte geschaffen werden。大北komitomintrechen defkten和wehselwirkungen mit Dotieratomen inbesonere der Dotieratomdiffusion eine zentrale Rolle zu。in sofinen schie ßt das Projekt die Behandlung von intrinsic defkten ein。die bildet die Grundlage fgr die Identifizierung complexer intrinsischer defktzentren, wie das di - photoluminiszenzentrum and das Z1/Z2Zentrum。defktidentifizierung werden defktschwingungsmoden and hyperfeinwechselwirkungparameter f<e:1> r ausgewählte defkte berechnet。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]3 .中国科学院地震学研究所（german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german german）。1 .费米-尼夫斯和Stöchiometrie之间的关系：1 .费米-尼夫斯和Stöchiometrie之间的关系：1 .费米-尼夫斯和Stöchiometrie之间的关系。潜在的迁移机制包括迁移的扩散和迁移的障碍。本文从迁移机制的角度对迁移机制进行了分析，并对迁移机制进行了分析。