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Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors GRAPHIC RF

Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors GRAPHIC RF
用于高性能射频晶体管的 SiC 晶圆上的石墨烯 GRAPHIC RF
批准号：
163392002
负责人：
Professor Dr. Oleg Pankratov
金额：
$0.0万
依托单位：
Groupe dEtude des Semi-Conducteurs
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2010
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2009-12-31 至 2015-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/163392002?language=en
关键词：
GrapheneSiCwafersperformantRF

项目摘要

项目成果

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The project aims to improve the basic knowledge on epitaxial graphene growth on SiC to establish the possibility to obtain the electronics quality required for Rf device fabrication. Different polytypes will be considered.simulations will be implemented. Standards and references will be established. Rf devices will be fabricated and characterised. Also other advanced devices will be considered.
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Buffer layer limited conductivity in epitaxial graphene on the Si face of SiC
DOI： 10.1103/physrevb.86.125426
发表时间： 2012-09
期刊： Physical Review B
影响因子： 3.7
作者： [S. Shallcross;S. Hensel;O. Pankratov]
通讯作者： S. Shallcross;S. Hensel;O. Pankratov
Electron-phonon scattering and in-plane electric conductivity in twisted bilayer graphene
扭曲双层石墨烯中的电子声子散射和面内电导率
DOI： 10.1103/physrevb.94.245403
发表时间： 2016
期刊： Physical Review B
影响因子： 3.7
作者： [N. Ray. D. Weckbecker, S. Sharma, O. Pankratov, S. Shallcross]
通讯作者： S. Shallcross
Emergent momentum scale, localization, and van Hove singularities in the graphene twist bilayer
DOI： 10.1103/physrevb.87.245403
发表时间： 2013-06-03
期刊： PHYSICAL REVIEW B
影响因子： 3.7
作者： [Shallcross, S., Sharma, S., Pankratov, O.]
通讯作者： Pankratov, O.
Electronic structure of twisted graphene flakes
DOI： 10.1103/physrevb.87.075433
发表时间： 2013-02-21
期刊： PHYSICAL REVIEW B
影响因子： 3.7
作者： [Landgraf, W., Shallcross, S., Pankratov, O.]
通讯作者： Pankratov, O.
共 6 条
    Theory of epitaxial graphene
    Nonadiabatic Time Dependent Density Functional Theory and fast nonlinear dynamics of quantum many-body systems
    Using density functional theory at the border between localized and delocalized states
    Doping and aggregation of vacancies / Graphite inclusions and overlayers
    国内基金
    海外基金
    高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
    • 批准号：
      2026JJ80072
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      曾荣周
    • 依托单位：
      湖南工业大学
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄兴才
    • 依托单位：
      盐城师范学院