Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors GRAPHIC RF

用于高性能射频晶体管的 SiC 晶圆上的石墨烯 GRAPHIC RF

基本信息

项目摘要

The project aims to improve the basic knowledge on epitaxial graphene growth on SiC to establish the possibility to obtain the electronics quality required for Rf device fabrication. Different polytypes will be considered.simulations will be implemented. Standards and references will be established. Rf devices will be fabricated and characterised. Also other advanced devices will be considered.
该项目旨在提高SiC上外延石墨烯生长的基础知识,以建立获得RF器件制造所需电子质量的可能性。不同的多型体将被考虑。模拟将被实施。将建立标准和参考。射频器件将被制造和表征。其他先进设备也将被考虑。

项目成果

期刊论文数量(6)
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专利数量(0)
Buffer layer limited conductivity in epitaxial graphene on the Si face of SiC
  • DOI:
    10.1103/physrevb.86.125426
  • 发表时间:
    2012-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    S. Shallcross;S. Hensel;O. Pankratov
  • 通讯作者:
    S. Shallcross;S. Hensel;O. Pankratov
Electron-phonon scattering and in-plane electric conductivity in twisted bilayer graphene
扭曲双层石墨烯中的电子声子散射和面内电导率
  • DOI:
    10.1103/physrevb.94.245403
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    N. Ray. D. Weckbecker;S. Sharma;O. Pankratov;S. Shallcross
  • 通讯作者:
    S. Shallcross
Emergent momentum scale, localization, and van Hove singularities in the graphene twist bilayer
  • DOI:
    10.1103/physrevb.87.245403
  • 发表时间:
    2013-06-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Shallcross, S.;Sharma, S.;Pankratov, O.
  • 通讯作者:
    Pankratov, O.
Electronic structure of twisted graphene flakes
  • DOI:
    10.1103/physrevb.87.075433
  • 发表时间:
    2013-02-21
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Landgraf, W.;Shallcross, S.;Pankratov, O.
  • 通讯作者:
    Pankratov, O.
Band-gap engineering with a twist: Formation of intercalant superlattices in twisted graphene bilayers
扭曲的带隙工程:扭曲石墨烯双层中插层超晶格的形成
  • DOI:
    10.1103/physrevb.91.205412
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Franz Symalla;Sam Shallcross;Igor Beljakov;Karin Fink;Wolfgang Wenzel;Velimir Meded
  • 通讯作者:
    Velimir Meded
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