Defect and interfacial characterization of SiC wafers, structures and devices based on electron microscope techniques

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Die heutzutage verfügbaren gezüchteten SiC-Kristalle sind mit einer Reihe von kristallinen Baufehlern behaftet, welche die Fertigung und die Funktion von Bauelementen erheblich beeinträchtigen können. Dieses Projekt ist eingebunden in das Projekt einer Forschergruppe, die Wege zur Herstellung verbesserter Kristalle und verbesserter Dotierungsverfahren finden möchte. Hierzu soll in diesem Teilprojekt die Realstruktur von Kristallen analysiert werden, die im Gesamtprojekt mit drei verschiedenen neuen Verfahren gezüchtet werden. Eingesetzt werden vorwiegend elektronenmikroskopische Verfahren, mit denen die Versetzungsanordnungen, Mikroröhren und Polytypen einschließlich der Wechselwirkungen dieser Strukturen untereinander aufgeklärt werden sollen. Aus der Korrelation der Beobachtungen mit den Züchtungsverfahren und den Prozessierbedingungen einerseits und den elektrischen Charakteristiken von Teststrukturen andererseits werden Hinweise zur Verbesserung von Züchtung und Dotierung abgeleitet, die in Zusammenarbeit mit den Partnern umgesetzt werden.