Defect and interfacial characterization of SiC wafers, structures and devices based on electron microscope techniques

基于电子显微镜技术的 SiC 晶圆、结构和器件的缺陷和界面表征

基本信息

项目摘要

Die heutzutage verfügbaren gezüchteten SiC-Kristalle sind mit einer Reihe von kristallinen Baufehlern behaftet, welche die Fertigung und die Funktion von Bauelementen erheblich beeinträchtigen können. Dieses Projekt ist eingebunden in das Projekt einer Forschergruppe, die Wege zur Herstellung verbesserter Kristalle und verbesserter Dotierungsverfahren finden möchte. Hierzu soll in diesem Teilprojekt die Realstruktur von Kristallen analysiert werden, die im Gesamtprojekt mit drei verschiedenen neuen Verfahren gezüchtet werden. Eingesetzt werden vorwiegend elektronenmikroskopische Verfahren, mit denen die Versetzungsanordnungen, Mikroröhren und Polytypen einschließlich der Wechselwirkungen dieser Strukturen untereinander aufgeklärt werden sollen. Aus der Korrelation der Beobachtungen mit den Züchtungsverfahren und den Prozessierbedingungen einerseits und den elektrischen Charakteristiken von Teststrukturen andererseits werden Hinweise zur Verbesserung von Züchtung und Dotierung abgeleitet, die in Zusammenarbeit mit den Partnern umgesetzt werden.
SiC-Kristalle的主要特点是具有基督教建筑师的精神,建筑师的生产和功能也非常重要。该项目是一个研究小组的一个组成部分,该项目的核心是研究水晶和研究Dotierungsverfahren。Hierzu soll in diesem Teilprojekt die Realstruktur von Kristallen analysiert韦尔登,die im Gesamtprojekt mit drei versedenen neuen Verfahren gezüchtet韦尔登. Eingesetzt韦尔登vorwiegend elektronenmikroskopische Verfahren,mit denen die Versetzungsanordnungen,Mikroröhren und Polytypen einschließlich der Wechselfenkungen dieser Strukturen unterinander aufgeklärt韦尔登sollen.通过与试验结构和韦尔登的电气特性的相关性和试验结构与发动机的电气特性的相关性,可以与韦尔登的合作伙伴共同工作。

项目成果

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