Investigation of crystal growth mechanisms of Si crystals floating on Si melt and development of crystal growth technique to realize high-quality Si multicrystals

研究硅熔体上漂浮硅晶体的晶体生长机制并开发晶体生长技术以实现高质量硅多晶

• 批准号: 20226001
• 负责人: NAKAJIMA Kazuo
• 金额: $ 95.43万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20226001/
• 关键词: 結晶成長; シリコン; 太陽電池; 多結晶; 結晶欠陥; 浮遊キャスト成長; 浮遊キャスト法; Siバルク多結晶; 亜粒界; ランダム粒界; せん断応力; デンドライト結晶; ファセット成長

We clarified fundamental crystal growth mechanisms of Si from melt such as formation mechanisms of microstructures and crystal defects by using an originally developed crystal growth furnace with in-situ observation system and model crystal growth experiments with purposely designed multi-seed crystals. The newly obtained fundamental knowledge on crystal growth mechanisms has been successfully implemented for development of floating cast method as a novel crystal growth technique to realize high-quality Si multicrystals with controlled microstructures and crystal defects, which will be utilized for high-efficiency solar cells.

本文利用自行研制的带有原位观察系统的晶体生长炉和精心设计的多种子晶体模型晶体生长实验，阐明了熔体中硅的基本晶体生长机制，如微观结构和晶体缺陷的形成机制。新获得的晶体生长机理的基础知识已成功地应用于浮式铸造法的发展，作为一种新的晶体生长技术，可以实现具有控制显微结构和晶体缺陷的高质量Si多晶，这将用于高效太阳能电池。

项目成果

In situ observation of Si faceted dendrite growth from low-degree-of-undercooling melts

• DOI: 10.1016/j.actamat.2008.01.038
• 发表时间: 2008-06
• 期刊: Acta Materialia
• 影响因子: 9.4
• 作者: K. Fujiwara;K. Maeda;N. Usami;G. Sazaki;Y. Nose;A. Nomura;T. Shishido;K. Nakajima

Impact of defect density in.Si bulk multicrystals on gettering effect of impurities

硅块状多晶缺陷密度对杂质吸杂效果的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys 47
• 作者: I. Takahashi;N. Usami;R. Yokoyama;Y. Nose;K. Kutsukake;K. Fujiwara;and K. Nakaiima
• 通讯作者: and K. Nakaiima

Control of microstructures and crystal defects in Si multicrystals grown by the casting method -how to improve the quality of multicrystals to the level of single crystals-

铸造法生长的硅多晶的显微组织和晶体缺陷的控制-如何将多晶的质量提高到单晶的水平-

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Nakajima;N.Usami;K.Fujiwara;K.Kutsukake
• 通讯作者: K.Kutsukake

シリコンのファセットデンドライトの成長機構

硅刻面枝晶的生长机制

• 发表时间: 2009
• 作者: 藤原航三;前田健作;宇佐美徳隆;宇田聡;中嶋一雄
• 通讯作者: 中嶋一雄

シリコンバルク多結晶におけるせん断応力と多結晶組織との関係

硅块状多晶中剪切应力与多晶结构的关系

• 发表时间: 2008
• 作者: 高橋勲;宇佐美徳隆;横山竜介;沓掛健太朗;森下浩平;藤原航三;中嶋一雄
• 通讯作者: 中嶋一雄