Development and Application of a thin film growth method called nano-channel hetero-epitaxy

纳米通道异质外延薄膜生长方法的开发与应用

• 批准号: 20360015
• 负责人: ICHIKAWA Masakazu
• 金额: $ 11.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360015/
• 关键词: ナノ材料; 薄膜; 量子ドット; シリコン; 半導体物性; 表面・界面物性; 光物性; 化合物半導体; ゲルマニウム

In order to integrate Si optical devices with Si electrical devices, we have developed a hetero-epitaxial growth method called nano-channel hetero-epitaxy in which ultrahigh density nanodots formed on ultrathin SiO2-covered Si substrates are used as seed crystals to grow hetero-thin films with good crystalline qualities on Si substrates. We have grown Ge, GeSn, GaSb and AlGaSb films with good crystalline qualities on Si substrates and investigated their crystalline and light-emitting properties.

为了将Si光学器件与Si电学器件集成，我们开发了一种称为纳米沟道异质外延的异质外延生长方法，在该方法中，将在SiO2覆盖的Si衬底上形成的纳米密度纳米点用作籽晶，在Si衬底上生长具有良好结晶质量的异质薄膜。我们在Si衬底上生长了结晶质量良好的Ge、GeSn、GaSb和AlGaSb薄膜，并研究了它们的结晶和发光特性。

项目成果

Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique

• DOI: 10.1063/1.3055211
• 发表时间: 2009-01
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Y. Nakamura;T. Sugimoto;M. Ichikawa

極薄Si酸化膜を用いたエピタキシャル量子ドット二次元ナノ配列構造の自己組織化と自己修復

超薄硅氧化物薄膜外延量子点二维纳米阵列结构的自组织与自修复

• 发表时间: 2010
• 期刊: 表面科学
• 作者: 中村芳明;村山昭之;渡邉亮子;彌田智一;市川昌和
• 通讯作者: 市川昌和

Development of Novel System Combining STM-cathodoluminescence and STM-electroluminescence Nanospectroscopies

结合STM阴极发光和STM电致发光纳米光谱的新型系统的开发

• 发表时间: 2010
• 作者: K.Watanabe;Y.Nakamura;S.Kuboya;R.Katayama;K.Onabe;M.Ichikawa
• 通讯作者: M.Ichikawa

極薄SiO_2/Si基板上に形成したエピタキシャルGaSb量子ドットの発光特性評価

超薄SiO_2/Si衬底上外延GaSb量子点发光性能评价

• 发表时间: 2008
• 作者: 中村芳明;杉本智洋;市川昌和
• 通讯作者: 市川昌和

Local optical characterization related to Si cluster concentration in Ga As using scanning tunneling microscope cathodoluminescence spectroscopy

使用扫描隧道显微镜阴极发光光谱法进行与 Ga As 中 Si 簇浓度相关的局部光学表征

• 发表时间: 2008
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 47
• 作者: K. Watanabe;Y. Nakamura;and M. Ichikawa
• 通讯作者: and M. Ichikawa