Development of of boron doped nano-diamond film and application for glucose sensor

掺硼纳米金刚石薄膜的研制及其在葡萄糖传感器中的应用

• 批准号: 20360056
• 负责人: MURAKAMI Ri-Ichi
• 金额: $ 12.56万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360056/
• 关键词: 材料加工・処理; 導電性ダイヤモンド; グルコースセンサー; 表面・界面物性; 半導体ダイヤモンド; 酵素反応

In this study, we have developed the surface treatment method to immobilize an enzyme on the boron doped nano-diamond film and we have also developed glucose sensor using immobilized enzyme on the boron doped nano-diamond film. As a result, we clarified the glucose sensor indicates high sensitivity when the diamond film has high boron concentration.

在这项研究中，我们开发了将酶固定在硼掺杂纳米金刚石薄膜上的表面处理方法，并且我们还开发了利用硼掺杂纳米金刚石薄膜上固定化酶的葡萄糖传感器。结果，我们澄清了当金刚石膜具有高硼浓度时，葡萄糖传感器表现出高灵敏度。

项目成果

Field emission investigation of boron doped diamond thin films synthesized by microwave plasma chemical vapor deposition : Effect of vacuum annealing

微波等离子体化学气相沉积合成硼掺杂金刚石薄膜的场发射研究：真空退火的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: P.M.Koinkar;D.Yonekura;T.G.Kim;M.A.More;R.Murakami;R.Murakami
• 通讯作者: R.Murakami

Field emission investigation of boron doped diamond thin films synthesized by microwave plasa chemical vapor : Effect of vacuum annealing

微波等离子体化学气相合成硼掺杂金刚石薄膜的场发射研究：真空退火的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: P.M.Koinkar;D.Yonekura;T.G.Kim;M.A.More;R.Murakami
• 通讯作者: R.Murakami

MPCVD法により成膜した導電性ダイヤモンド薄膜の表面化学修飾の評価

MPCVD法沉积导电金刚石薄膜表面化学改性评价

• 发表时间: 2010
• 作者: 山田剛司;延原由起;崎原雅之;平方寛之;箕島弘二;琵琶志朗;山田 剛司;村上理一
• 通讯作者: 村上理一

Electrochemical properties of Boron-doped diamond deposited by microwave plasma cvd method

微波等离子体CVD法沉积掺硼金刚石的电化学性能

• 发表时间: 2008
• 作者: 君塚肇;森英喜;尾方成信;R. Murakami
• 通讯作者: R. Murakami