Environmental Adaptive Programmable Analog LSI

环境自适应可编程模拟LSI

基本信息

  • 批准号:
    20500055
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This study is focusing on the programmable technologies for analog LSIs, which serve the high tolerance to the aging degradation and environmental variation. The contributions of this study are summarized as follows;(1) We proposed the PDTB (Programmable Differential-pair Transistor Block) which make use of the differential amplifier circuit as an element, and developed the CAB (Configurable Analog Block). The CAB is composed of (a)Vth-tuning circuit by body biasing, (b)pMOS-/nMOS-PTDB, (c)pMOS/nMOS transistor array, (d)resistor and capacitor array, and (e)routing resource and switch matrix.(2) We clarified the influence on DC/AC characteristics of analog circuits by the decomposition of the channel length (L) of MOS transistors. Through evaluating the test chip, we revealed that 2-L and 4-L decomposition do not matter in the DC/AC characteristics. Furthermore, we developed the Programmable Delay Element (PDE) by applying L-decomposition with a switching mechanism.(3) We proposed the programmable metal-to-metal capacitor array which has a low temperature dependency, and also present the capacitance evaluation methodology by employing the SAR-ADC mechanism.
本研究的重点是模拟LSI的可编程技术,它对老化退化和环境变化具有很高的耐受性。本研究的主要贡献如下:(1)提出了以差分放大电路为核心的可编程差分对晶体管模块PDTB(Programmable Differential-pair Transistor Block),并开发了可配置模拟模块CAB(Configurable Analog Block)。CA B由(a)通过体偏置的Vth调谐电路、(B)pMOS-/nMOS-PTDB、(c)pMOS/nMOS晶体管阵列、(d)电阻器和电容器阵列以及(e)布线资源和开关矩阵组成。(2)本文阐明了MOS晶体管沟道长度L的分解对模拟电路DC/AC特性的影响。通过对测试芯片的评估,我们发现2-L和4-L分解对DC/AC特性没有影响。此外,我们开发了可编程延迟元件(PDE)通过应用L-分解与开关机制。(3)我们提出了一种具有低温度依赖性的可编程金属对金属电容阵列,并提出了采用SAR-ADC机制的电容评估方法。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
アナログ集積回路における容量の実現及び評価手法に関する一考察
模拟集成电路中电容的实现与评估研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    越智敦;島津怜英;藤村徹;中武繁寿
  • 通讯作者:
    中武繁寿
Structured Placement with Topological Regularity Evaluation
STI Stress Aware Placement Optimization Based on Geometric Programming
基于几何规划的 STI 应力感知放置优化
Regularity-oriented analog placement with diffusion sharing and well island generation
  • DOI:
    10.1109/aspdac.2010.5419878
  • 发表时间:
    2010-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Nakatake;M. Kawakita;Takao Ito;Masahiro Kojima;Michiko Kojima;Kenji Izumi;Tadayuki Habasaki
  • 通讯作者:
    S. Nakatake;M. Kawakita;Takao Ito;Masahiro Kojima;Michiko Kojima;Kenji Izumi;Tadayuki Habasaki
D-A Converter Based Variation Analysis for Analog Layout Design
基于 D-A 转换器的模拟布局设计变化分析
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

NAKATAKE SHIGETOSHI其他文献

NAKATAKE SHIGETOSHI的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('NAKATAKE SHIGETOSHI', 18)}}的其他基金

Analog-Digital Mixed Signal Reconfigurable System for Machine Learning to Analog Signal
用于机器学习模拟信号的模数混合信号可重构系统
  • 批准号:
    18K11223
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
阐明非平衡多晶型结晶机理及电子器件应用
  • 批准号:
    23K26506
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
用于新型电子器件的 κ-(InxGa1-x)2O3 混合晶体中的缺陷、相分离和成分波动的评估和控制
  • 批准号:
    24K08272
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
先進的電子デバイスにおける劣化のサイエンス
先进电子设备退化的科学
  • 批准号:
    23K22789
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスを用いた広帯域テラヘルツパルス発生技術の開拓
利用电子设备开发宽带太赫兹脉冲发生技术
  • 批准号:
    23K23257
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
空間的に精密制御されたイオン交換ドーピングによる革新的な有機電子デバイスの創成
使用空间精确控制的离子交换掺杂创建创新的有机电子器件
  • 批准号:
    23K23428
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子デバイスの高性能な熱管理システム開発
电子设备高性能热管理系统的开发
  • 批准号:
    24KJ0389
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
点欠陥の流動と凝縮の素過程解明にもとづく塑性機能電子デバイスの創製
基于点缺陷流动和凝结基本过程的阐明,创建塑料功能电子器件
  • 批准号:
    23K26380
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
波動性の顕在化による電子デバイスの超越動作
通过波动性质的表现来实现电子设备的超越操作
  • 批准号:
    24H00031
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
電子デバイス応用に向けた絶縁体/酸化ガリウム界面欠陥の定量と制御
电子设备应用中绝缘体/氧化镓界面缺陷的量化和控制
  • 批准号:
    24K17308
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御
集成光学和声学声子控制为光学和电子设备设计概念带来创新
  • 批准号:
    24K01360
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了