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Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen

Herstellung und Untersuchung von elektrisch betriebenen AlGaN/GaN/GaInN-DFB-Laserstrukturen
电动 AlGaN/GaN/GaInN DFB 激光器结构的制造和研究
批准号:
5372507
负责人:
Professor Dr. Heinz Schweizer
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
1997
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1996-12-31 至 2001-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
AlGaN/GaN/GaInN材料系统中的AlGaN/GaN/GaInN是由Schlechten Spaltbarkeit der gängien衬底组成的。激光椎体切割机Rück kopplung bieten hier einen groçen Technology isen Vorteil,da die lichtrück kopplung dch das DFB-Gitter erfolgt.我是Forschungsvorhaben Wurden失去了它的机会Gepumpte DFB-激光麻省理工学院2。秩序现实和特征。在此基础上,提出了一种新的激光技术,即1.和2.这两种技术的应用。Dazuüdas Design der Vertikalstrukut entsprechend den neatentellen ergebnissen des lagebnissen des laschungsvorhabens and MIT Hilfe von modellrechnungen auf elektrisch Betriebene激光Weiterentwickelt den.在此基础上,设计了一种新的80 nm超细管。作为激光设计和模具设计和生产过程中的最佳选择和最佳选择,KennlinienMessungen,KennlinienMessungen,Bstimmung der SerienBroadderstände and Messung der Quantonosbeute kontrolliert是最好的选择。
英文摘要
Die Realisierung von Fabry-Perot-Lasern im Materialsystem AlGaN/GaN/GaInN ist infolge der schlechten Spaltbarkeit der gängigen Substrate erschwert. Laser mit verteilter Rückkopplung bieten hier einen großen technologischen Vorteil, da die Lichtrückkopplung durch das DFB-Gitter erfolgt. Im auslaufenden Forschungsvorhaben wurden bereits optisch gepumpte DFB-Laser mit Gittern 2. Ordnung realisiert und charakterisiert. Basierend auf den erarbeiteten Ergebnissen sollen nun elektrisch gepumpte DFB-Laser 1. und 2. Ordnung hergestellt und untersucht werden. Dazu muß das Design der Vertikalstruktur entsprechend den experimentellen Ergebnissen des laufenden Forschungsvorhabens und mit Hilfe von Modellrechnungen auf elektrisch betriebene Laser weiterentwickelt werden. Der Herstellungsprozeß muß auf Gitter 1. Ordnung mit Gitterperioden um 80 nm erweitert werden. Das Laserdesign und die Prozeßführung sollen dabei durch optische und elektrische Messungen wie Lumineszenzausbeute, Kennlinienmessungen, Bestimmung der Serienwiderstände und Messung der Quantenausbeute kontrolliert werden.
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会议论文
Gate recessed GaN highpower FETs
  • 批准号:
    5306608
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr. Heinz Schweizer
  • 依托单位:
Lateral gekoppelte DFB-Mehrsegment-Laserdioden und -Filter für Frequenzmodulation und -multiplex
  • 批准号:
    5298079
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr. Heinz Schweizer
  • 依托单位:
Untersuchung und Realisierung von organischen Nanostruktur-Feldeffekttransistoren
  • 批准号:
    5304666
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr. Heinz Schweizer
  • 依托单位:
海外基金