Optimierung der Bragg-Spiegel von Vertikallaserdioden mittels In-Situ Reflexionsmessungen während des epitaktischen Wachstums für VCSEL mit hoher Modulationsbandbreite

在高调制带宽 VCSEL 的外延生长过程中使用原位反射测量优化垂直激光二极管的布拉格镜

• 批准号: 5096612
• 负责人: Professor Dr. Heinz Schweizer
• 金额: --
• 依托单位: 4. Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5096612?language=en
• 关键词: Optimierung; der; Bragg; Spiegel; von

Im ersten Projektabschnitt gelang die Herstellung von oberflächenemittierende Halbleiterlasern mit vertikalem Resonator bei einer Emissionswellenlänge um 670 nm. Im zweiten Abschnitt sollen diese Bauteile hinsichtlich ihres Serienwiderstands weiterentwickelt werden. Hierzu wollen wir Untersuchungen zu AlGaAs-AlAs-Bragg-Spiegeln mit graduellen Grenzflächen-Übergängen durchführen. Die laterale Strominjektion soll durch selektive Oxidation der AlAs-Schichten sowie durch selektives laterales Ätzen der AlGaAs-AlAs-Schichten unter einer GaInP-Deckschicht verbessert werden. Weiterhin ist die Untersuchung von transparenten ITO-Kontakten geplant. Diese Arbeiten sowie Verbesserungen des Oberflächenkontakt-Designs ermöglichen eine Optimierung von Nah- und Fernfeldwinkeln, wie es für den Einsatz der Bauteile in Laser-Plastikfaser-Systemen notwendig ist. Die Verschiebung der Emissionswellenlänge hin zu 650 nm macht weitere Studien zur Reduzierung thermischer Ladungsträgerverluste notwendig.

Im esten Projektabschnitt gelang die Herstellung von oberflächenemittierende Halbleiterlasern mit vertikalem Resonator bei iner Emissionswellenlänge um 670 nm.在第二次世界大战中，这两件物品都被认为是韦尔登最大的战利品。我们可以通过逐渐增强的反射层对AlGaAs-AlAs-Bragg-Spiegeln进行探测。AlAs-Schichten的选择性氧化导致横向振荡，AlGaAs-AlAs-Schichten的选择性横向振荡导致GaInP-Deckschichten被韦尔登。这些都是ITO-Kontakten公司的调查结果。这一工作使Oberflächenkontakt-Designs的Verbesserungen对Nah-和Fernandez winkeln进行优化，就像在Laser-Plastikfaser-Systemen中对零件进行优化一样。650 nm的发射波长的测试可以降低热辐射强度。