Optimierung der Bragg-Spiegel von Vertikallaserdioden mittels In-Situ Reflexionsmessungen während des epitaktischen Wachstums für VCSEL mit hoher Modulationsbandbreite

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Im ersten Projektabschnitt gelang die Herstellung von oberflächenemittierende Halbleiterlasern mit vertikalem Resonator bei einer Emissionswellenlänge um 670 nm. Im zweiten Abschnitt sollen diese Bauteile hinsichtlich ihres Serienwiderstands weiterentwickelt werden. Hierzu wollen wir Untersuchungen zu AlGaAs-AlAs-Bragg-Spiegeln mit graduellen Grenzflächen-Übergängen durchführen. Die laterale Strominjektion soll durch selektive Oxidation der AlAs-Schichten sowie durch selektives laterales Ätzen der AlGaAs-AlAs-Schichten unter einer GaInP-Deckschicht verbessert werden. Weiterhin ist die Untersuchung von transparenten ITO-Kontakten geplant. Diese Arbeiten sowie Verbesserungen des Oberflächenkontakt-Designs ermöglichen eine Optimierung von Nah- und Fernfeldwinkeln, wie es für den Einsatz der Bauteile in Laser-Plastikfaser-Systemen notwendig ist. Die Verschiebung der Emissionswellenlänge hin zu 650 nm macht weitere Studien zur Reduzierung thermischer Ladungsträgerverluste notwendig.