Gate recessed GaN highpower FETs

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In diesem Projekt sollen GaN-Hochleistungs-FETs mit Gate-Recess realisiert werden. Heutiger Stand der GaN-FET-Technik sind HEMTs ohne Recess. Bei gängigen HEMTs auf Basis von AlGaAs/GaAs und AlInP/InP hat die Einführung eines Recess zu deutlichen Verbesserungen der Eigenschaften geführt. Ziel dieses Projekts ist nun die Entwicklung einer Gate-Recess-Technologie bei GaN-FETs. Weiterhin erlaubt der Recess eine Realisierung von Gates im Nanometerlängenbereich mit guter Steuerwirkung. Damit sind Transistoren mit sehr hoher Grenzfrequenz herstellbar. Wegen der chemischen Inertheit der Gruppe III-Nitride können Standard-Naßätztechnologien nicht auf die Nitride angewandt werden. Daher kommen für die Nitride nur Trockenätzprozesse in Frage, welche im allgemeinen zur Schädigung des Materials führen und damit die Bauelementeigenschaften verschlechtern. Durch geeignete Wahl der Ätzparameter sowie durch Passivierungsmethoden sollen die Schädigungen minimiert werden. Zur Charakterisierung der Recess-Technologie werden wir Transistoren herstellen. Dabei erwarten wir eine deutliche Verbesserung der Bauelementeigenschaften.