Gate recessed GaN highpower FETs

栅极嵌入式 GaN 高功率 FET

• 批准号: 5306608
• 负责人: Professor Dr. Heinz Schweizer
• 金额: --
• 依托单位: 4. Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5306608?language=en
• 关键词: Gate; recessed; GaN; highpower; FETs

In diesem Projekt sollen GaN-Hochleistungs-FETs mit Gate-Recess realisiert werden. Heutiger Stand der GaN-FET-Technik sind HEMTs ohne Recess. Bei gängigen HEMTs auf Basis von AlGaAs/GaAs und AlInP/InP hat die Einführung eines Recess zu deutlichen Verbesserungen der Eigenschaften geführt. Ziel dieses Projekts ist nun die Entwicklung einer Gate-Recess-Technologie bei GaN-FETs. Weiterhin erlaubt der Recess eine Realisierung von Gates im Nanometerlängenbereich mit guter Steuerwirkung. Damit sind Transistoren mit sehr hoher Grenzfrequenz herstellbar. Wegen der chemischen Inertheit der Gruppe III-Nitride können Standard-Naßätztechnologien nicht auf die Nitride angewandt werden. Daher kommen für die Nitride nur Trockenätzprozesse in Frage, welche im allgemeinen zur Schädigung des Materials führen und damit die Bauelementeigenschaften verschlechtern. Durch geeignete Wahl der Ätzparameter sowie durch Passivierungsmethoden sollen die Schädigungen minimiert werden. Zur Charakterisierung der Recess-Technologie werden wir Transistoren herstellen. Dabei erwarten wir eine deutliche Verbesserung der Bauelementeigenschaften.

In diesem Projekt solen GaN-Hochleistungs-FET mit Gate-Recess realisiert werden. Heutiger 位于 GaN-FET-Technik 和 HEMT 的凹槽处。 HEMT 是 AlGaAs/GaAs 和 AlInP/InP 的基础，是德国 Eigenschaften geführt 的 Einführung eines Recess zu deutlichen Verbesserungen der Eigenschaften geführt。 Ziel 的项目是 GaN-FET 栅极凹槽技术的研究。 Weiterhin erlaubt der Recess eine Realisierung von Gates im Nanometerlängenbereich mit guter Steuerwirkung。 Damit sind Transistoren mit sehr hoher Grenzfrequez herstellbar。我们的化学惰性是 Gruppe III-Nitride 的标准-Naßätztechnologien nicht auf die Nitride angewandt werden。在 Frage 中，氮化物处理过程中的氮化物处理过程，是材料设计的全部内容，并且是 Bauelementeigenschaften verschlechtern 的设计。在钝化方法中，应采用最小化的方法来调节参数。凹槽技术的特性与晶体管有关。这是德国建筑材料协会 (Bauelementeigenschaften) 的一项重大成果。