Untersuchung und Realisierung von organischen Nanostruktur-Feldeffekttransistoren

该项目旨在实现有机高分子自组装单分子层（SAM）及其物理/化学特性，使其具有更好的物理/化学特性，以实现有机高分子自组装膜（NANOFET）。通过对SAM-Schichten的研究，将Si/SiO2-Oberflächen韦尔登羟基化。Bauelementschichten的实现必须通过功能门隔离和晶体管实现韦尔登。本项目的主要内容如下：i）基于十八烷基三氯硅烷（OTS）的SAM，羟基Si/SiO2作为栅极隔离。利用电子束成像技术（E-BEAM-Lith）在OTS-SAM-Schicht上构建NA-NOFET的纳米结构，并通过低聚物真空升华去除Kanalschicht。ii）OTS-SAM mit Thienyl-，Pyrrol-Monomerkopfgruppen und deren Verknüpfung zu SAM-Polymerschichten（Schicht mit Doppelfunktion：Gate-Isolations/Kanalschicht）und E-BEAM-Lith auf der Polymer-SAM für den NANOFET. iii）使用一个Phthalocyanininkopffgruppe（Gate-Isolations/Kanalschicht）和直接用于NANOFET的Phthalocyanin-OTS-SAM的E-BEAM-Lith的OTSSAM。Die realiserten Schichten müssen elektrisch（Schottkykontakte，Kapazitätspektroskopie，etc.）分析韦尔登。因此，纳米光刻技术可以应用于一个精密的Schichtsysteme。

Das Projekt hat zum Ziel organische hochgeordnete Monolagenschichten (self assembled monolayers (SAM)) zu realisieren und ihre physikalisch/chemischen Eigenschaften sowie ihre Eignung für die Realisierung von organischen Feldeffekttranstoren (NANOFET) zu untersuchen. Ausgang der Untersuchungen bilden SAM-Schichten, die auf hydroxilierten Si/SiO2-Oberflächen abgeschieden werden. Zur Realisierung von Bauelementschichten müssen die Funktionen Gate-Isolation und Transistorkanalschicht realisiert werden. Im Projekt schlagen wir folgende Ansätze vor: i) SAM auf der Basis von Octadecyltrichlorosilan (OTS) auf hydroxiliertem Si/SiO2 als Gate-Isolation. Strukturierung der Nanometerkontaktstruktur des NA-NOFETs auf der OTS-SAM-Schicht mit hochauflösender Elektronenstrahllithographie (E-BEAM-Lith) und Abscheiden der Kanalschicht durch Vakuumsublimimation von Oligomeren. ii) OTS-SAM mit Thienyl-, Pyrrol-Monomerkopfgruppen und deren Verknüpfung zu SAM-Polymerschichten (Schicht mit Doppelfunktion: Gate-Isolations/Kanalschicht) und E-BEAM-Lith auf der Polymer-SAM für den NANOFET. iii) Abscheiden der OTSSAM mit einer Phthalocyaninkopfgruppe (Gate-Isolations/Kanalschicht) und direkte E-BEAM-Lith der Phthalocyanin-OTS-SAM für den NANOFET. Die realiserten Schichten müssen elektrisch (Schottkykontakte, Kapazitätsspektroskopie, etc.) analysiert werden. Ebenso sind die Nanolithographietechniken auf die einzelnen Schichtsysteme präzise abzustimmen.