Surfactant-induziertes Wachstum von GaN-Oberflächen

表面活性剂诱导的 GaN 表面生长

基本信息

批准号：
5372519
负责人：
Professor Dr. Jörg Neugebauer
金额：
--
依托单位：
Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH (MPIE)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
1997
资助国家：
德国
起止时间：
1996-12-31 至 2003-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372519?language=en
关键词：
Surfactant induziertes Wachstum von GaN

项目摘要

Die Modellierung des Wachstums von Gruppe III-Nitrid-Halbleiteroberflächen ist ein wichtiger Schritt, um die Morphologie und Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten systematisch zu verbessern. In der letzten Antragsperiode haben wir die atomare Geometrie, elektronische Struktur und Energetik aller für das Wachstum von GaN relevanten Oberflächen untersucht und identifiziert. Auf der Basis dieser Ergebnisse haben wir weiterhin die Diffusion von Adatomen auf diesen Oberflächen berechnet, welche erste Einblicke in die Wachstumsmechanismen dieses Materialsystems lieferte. In der folgenden Antragsphase wollen wir aufbauend auf diesen Ergebnissen die Gleichgewichtsstruktur von Stufen auf Oberflächen und die Diffusion von Adatomen über und entlang von Stufen untersuchen. Diese Ergebnisse ermöglichen einerseits einen direkten Einblick in die relevanten Wachstumsmechanismen. Andererseits sollen diese Ergebnisse als Eingabeparameter für mesoskopische Wachstumsmodelle mittels MonteCarlo bzw. Ratengleichungen benutzt werden. Daraus lassen sich dann Schlußfolgerungen bezüglich Stabilität, Morphologie und Wachstumsgeschwindigkeit der verschiedenen Facetten erhalten. Weiterhin sollen diese Resultate benutzt werden, um den Einbau von Indium bzw. die In-Segregation in InGaN-Legierungen zu verstehen.

Gruppe III-硝酸 - 纳尔布尔Flächen的Wachstums是逃避gan- epitaxies的最佳方法。除了Wachstum已经过去并且系统的系统学是动词器之外的事实。除了Wachstum已经过去并且系统不限于Gan-Epitaxies之外。除了Wachstum，Wachstum已经通过，并且系统不限于Gan-Epitaxies系统系统。 Haben Wir Weiterhin Die扩散von Adatomen Auf DiesenOberflächenberechnet，Welche einblicke in Die wachstumsmechanismen dieses Materialsystems lieferte lieferte。在folgenden antragsphase中，w wil wit wit wit with auf diesen efbnissen die gleichgewichtsstruktur von von von stufen aufoberflächenund die die die die die die vonadatomenüber和entlang von von von von stufen untersuchen。 dieseergebnisseermöglicheneinerseites einen direkten einblick einblick the einblick in Coopalent wachstumsmechanismen。 Andererseys是Wachstumsmechanismen的Solren。相关的wachstumsmechanismen中的Einblick。 Andererseys是Wachstumsmodelle Mittels Montecarlo BZW的Solren。 The Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden, the Ratengleichungen Benutzt Werden Indium bzw. Ingan-Legierungen Zu Verstehen中的隔离。