Surfactant-induziertes Wachstum von GaN-Oberflächen

表面活性剂诱导的 GaN 表面生长

• 批准号: 5372519
• 负责人: Professor Dr. Jörg Neugebauer
• 金额: --
• 依托单位: Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH (MPIE)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372519?language=en
• 关键词: Surfactant; induziertes; Wachstum; von; GaN

Die Modellierung des Wachstums von Gruppe III-Nitrid-Halbleiteroberflächen ist ein wichtiger Schritt, um die Morphologie und Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten systematisch zu verbessern. In der letzten Antragsperiode haben wir die atomare Geometrie, elektronische Struktur und Energetik aller für das Wachstum von GaN relevanten Oberflächen untersucht und identifiziert. Auf der Basis dieser Ergebnisse haben wir weiterhin die Diffusion von Adatomen auf diesen Oberflächen berechnet, welche erste Einblicke in die Wachstumsmechanismen dieses Materialsystems lieferte. In der folgenden Antragsphase wollen wir aufbauend auf diesen Ergebnissen die Gleichgewichtsstruktur von Stufen auf Oberflächen und die Diffusion von Adatomen über und entlang von Stufen untersuchen. Diese Ergebnisse ermöglichen einerseits einen direkten Einblick in die relevanten Wachstumsmechanismen. Andererseits sollen diese Ergebnisse als Eingabeparameter für mesoskopische Wachstumsmodelle mittels MonteCarlo bzw. Ratengleichungen benutzt werden. Daraus lassen sich dann Schlußfolgerungen bezüglich Stabilität, Morphologie und Wachstumsgeschwindigkeit der verschiedenen Facetten erhalten. Weiterhin sollen diese Resultate benutzt werden, um den Einbau von Indium bzw. die In-Segregation in InGaN-Legierungen zu verstehen.

在Wachstumsvon Gruppe III-Nitird-Halbleiteroberflächen的基础上，我们可以看到，Wachstum von Gruppe Von Gruppe-Nitird-HalbleteroberfläChen是一种新的形态和特征。在《原子几何》一书中，我们发现了一种新的结构和能源，并与之相关联。在此基础上，我们将继续推进新技术的发展，使其在材料系统中发挥更大的作用。在接下来的一段时间里，我们看到了一条新的道路和一条新的道路，这是一条新的道路。他说：“我的工作就是在相关的机械设备上工作。Anderseits sollen diese Ergebnisse Als Eingabep参数für Mesoskopische WachstumsModel Mittels MonteCarlo BZW.Ratengleichugen benutzt.Ratengleichugen benutzt.在此基础上，提出了一种新的数学模型--DARAUS Lassen sich Dann Schlu？Fulgerungen Bezüglich，Morphologie and Wachstumsgeschwindigkeit der verschiedenen faceten erhalten.在英甘军团的种族隔离中，我们得到了很好的结果。