Development of radiation-hard p-bulk microstrip detector

抗辐射p体微带探测器的研制

• 批准号: 20540291
• 负责人: HARA Kazuhiko
• 金额: $ 3万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20540291/
• 关键词: P型シリコン検出器; superLHC; 放射線耐性; 電極分離; マイクロストリップ; p型シリコン検出器; スーパーLHC; 電極分離構造

We have developed a radiation hard silicon microstrip sensor to be operational at the LHC upgrade planned at CERN in Europe. The sensor utilizing p-type bulk material can tolerate up to the expected fluence of 10^<15>n/cm^2,showing a full depletion voltage below800V and yielding a collected charge sufficient for precision particle tracking. The sensor can also be biased to1000V without showing micro-discharge after optimizing the P-STOP and P-SPRAY concentrations. The performance concerning strip isolation, interstrip capacitance, and interstrip resistance is found acceptable. We have also designed a detector protection mechanism based on punch through against large signal current. These results led the ATLAS Collaboration to agree that our sensor is the baseline design.

我们已经开发出一种辐射硬硅微带传感器，将在欧洲核子研究中心计划的大型强子对撞机升级中投入使用。利用p型块体材料的传感器可以耐受高达10^<15>n/cm ^2的预期通量，显示出低于800 V的完全耗尽电压，并产生足够用于精确粒子跟踪的收集电荷。在优化P-STOP和P-SPRAY浓度后，传感器也可以偏置到1000 V而不显示微放电。关于条隔离，条间电容，和条间电阻的性能是可以接受的。我们还设计了一种基于大信号电流穿通的探测器保护机制。这些结果使ATLAS协作组同意我们的传感器是基线设计。

项目成果

Characteristics of the irradiated Hamamatsu P-bulk microstrip sensors

辐照 Hamamatsu P-bulk 微带传感器的特性

• 发表时间: 2008
• 作者: 太田信義;鳥居隆;原和彦
• 通讯作者: 原和彦

Development of Radiation Hard N^+on-P Silicon Microstrip Sensors for Super LHC

开发用于超级 LHC 的抗辐射 N^-on-P 硅微带传感器

• 发表时间: 2009
• 期刊: IEEE Trans.Nucl.Sci. 56-2
• 作者: K.Hara;他
• 通讯作者: 他

Hamamatsu n-on-p sensors for ATLAS upgrade tracker

用于 ATLAS 升级跟踪器的 Hamamatsu n-on-p 传感器

• 发表时间: 2010
• 作者: 宇川彰;青木慎也;初田哲男;柴田大;梅村雅之;西村淳;K.Hara
• 通讯作者: K.Hara

A silicon strip module for the ATLAS inner detector upgrade in the super LHC collider

用于超级 LHC 对撞机 ATLAS 内部探测器升级的硅条模块

• 发表时间: 2011
• 期刊: NIM A636
• 作者: S.Gonzalez-Sevilla;9名略;K.Hara;11名略
• 通讯作者: 11名略

Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensor for very high radiation environment

极高辐射环境下 n-in-p 硅传感器的体辐射损伤测试

• 发表时间: 2010
• 期刊: Nucl.Instr.Meth. (未定, 掲載決定)
• 作者: K.Hara;他
• 通讯作者: 他