Development of Ultraviolet APD Device by Widegap Semiconductors
Development of Ultraviolet APD Device by Widegap Semiconductors
宽禁带半导体公司开发紫外APD器件
批准号：
20560009
负责人：
ANDO Koshi
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
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英文摘要
High efficiency UV-photodiodes (PIN and APD) have been developed using widegap compound semiconductors (ZnSSe/GaAs) by MBE. PIN structure device shows external quantum efficiencies of 60% in UV region (350nm). On the other hand、 new hybrid-structure ZnSSe-PEDOT exhibits clear APD operation under extremely low voltage of 28-35V with high signal gain (G～100).
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High Senisitve Ultraviolet Schottky Photodetectors of ZnSSe Organic-Inorganic Hybrid Structure on p+-GaAs Substrate.
p -GaAs 衬底上 ZnSSe 有机-无机杂化结构的高灵敏度紫外肖特基光电探测器。
p -GaAs 衬底上 ZnSSe 有机-无机杂化结构的高灵敏度紫外肖特基光电探测器。
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
28th Electronic Material Symposium (EMS-28) Extended Abstaract. EMS-28
影响因子：
--
作者：
[T.Tanaka、D.Katada、K.Miki、M.Nomura、Y.Inagaki、T.Tani、T.abe、H.Kasada, K.Ando]
通讯作者：
K.Ando
High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with traqnsparent conducting plymer windowlayer
具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器
具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Phys.Status Solidi B247
影响因子：
--
作者：
[T、Abe、K.Ando, etal.]
通讯作者：
etal.
High Sensitive Ultraviolet Organic-Inorganic Hybrid Photodetectors grown on p-GaAs with Transparent Conducting Polymer Window-layer Proceeding in14th II-VI compounds
具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器在第 14 II-VI 族化合物中的进展
具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器在第 14 II-VI 族化合物中的进展
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Abe、K.Ando, et.al.]
通讯作者：
et.al.
Strucural Insataibility of N-acceptors in homo- and heteroepitaxially grown ZnO by MBE
MBE 同质和异质外延生长 ZnO 中 N 受体的结构不稳定性
MBE 同质和异质外延生长 ZnO 中 N 受体的结构不稳定性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Phys.Status Solidi B247
影响因子：
--
作者：
[K.Ando、T.Abe, etal.]
通讯作者：
etal.
High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with transparent conduction plymer window-Layer.
在带有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器。
在带有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器。
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Phys.Status.Solidi C1-3(in press)
影响因子：
--
作者：
[T.Abe, D.Katada, K.Miki, K.Tanaka, M.Nomura, Y.Inagaki, T.Tani, M.Ohtsuki, H.Kasada, K.Ando]
通讯作者：
K.Ando
共 8 条
Development of Primary-Secondary Air-Battery using Activated-Carbon made from Saw-dust under high temperature
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批准号：24655141
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$1.5万
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财政年份：2012
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负责人：ANDO Koshi
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依托单位：
Study on Degradation Mechanism of II-VI based blue-Green Laser Diodes
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批准号：10650011
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.18万
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财政年份：1998
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负责人：ANDO Koshi
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依托单位：
Research on the Semiconductor Based Optical Detector for the Short-Wavelength Visible and Ultra-Violet Region.
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批准号：08650015
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1996
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负责人：ANDO Koshi
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依托单位：