Development of Ultraviolet APD Device by Widegap Semiconductors

宽禁带半导体公司开发紫外APD器件

• 批准号: 20560009
• 负责人: ANDO Koshi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tottori University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560009/
• 关键词: 紫外光波帯APD素子; ワイドギャップ化合物半導体APD素子; 有機-無機複合型APD素子; 化合物半導体MBE成長; ワイドギャップ化合物半導体AME成長; 紫外APD; (ZnSSe-APD; ZnSSe-PIN型APD; 低動作電圧APDワイドギャップ半導体APD; ZnSSe-APD; 低動作電圧APD

High efficiency UV-photodiodes (PIN and APD) have been developed using widegap compound semiconductors (ZnSSe/GaAs) by MBE. PIN structure device shows external quantum efficiencies of 60% in UV region (350nm). On the other hand、 new hybrid-structure ZnSSe-PEDOT exhibits clear APD operation under extremely low voltage of 28-35V with high signal gain (G～100).

利用分子束外延技术，用宽禁带化合物半导体（ZnSSe/GaAs）研制了高效率的紫外光电二极管（PIN和APD）。PIN结构器件在紫外区（350 nm）显示出60%的外量子效率。另一方面，新型混合结构的ZnSSe-PEDOT在28- 35 V的极低电压下具有清晰的APD工作，并具有高信号增益（G~100）。

项目成果

High Senisitve Ultraviolet Schottky Photodetectors of ZnSSe Organic-Inorganic Hybrid Structure on p+-GaAs Substrate.

p -GaAs 衬底上 ZnSSe 有机-无机杂化结构的高灵敏度紫外肖特基光电探测器。

• 发表时间: 2009
• 期刊: 28th Electronic Material Symposium (EMS-28) Extended Abstaract. EMS-28
• 作者: T.Tanaka、D.Katada、K.Miki、M.Nomura、Y.Inagaki、T.Tani、T.abe、H.Kasada;K.Ando
• 通讯作者: K.Ando

High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with traqnsparent conducting plymer windowlayer

具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器

• 发表时间: 2010
• 期刊: Phys.Status Solidi B247
• 作者: T、Abe、K.Ando;etal.
• 通讯作者: etal.

High Sensitive Ultraviolet Organic-Inorganic Hybrid Photodetectors grown on p-GaAs with Transparent Conducting Polymer Window-layer Proceeding in14th II-VI compounds

具有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器在第 14 II-VI 族化合物中的进展

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Abe、K.Ando;et.al.
• 通讯作者: et.al.

Strucural Insataibility of N-acceptors in homo- and heteroepitaxially grown ZnO by MBE

MBE 同质和异质外延生长 ZnO 中 N 受体的结构不稳定性

• 发表时间: 2010
• 期刊: Phys.Status Solidi B247
• 作者: K.Ando、T.Abe;etal.
• 通讯作者: etal.

High sensitive ultraviolet organic-inorganic hybrid photodetectors on ZnSSe grown on p-GaAs with transparent conduction plymer window-Layer.

在带有透明导电聚合物窗口层的 p-GaAs 上生长的 ZnSSe 上的高灵敏度紫外有机-无机混合光电探测器。

• 发表时间: 2010
• 期刊: Phys.Status.Solidi C1-3(in press)
• 作者: T.Abe;D.Katada;K.Miki;K.Tanaka;M.Nomura;Y.Inagaki;T.Tani;M.Ohtsuki;H.Kasada;K.Ando
• 通讯作者: K.Ando