Light modulation driven by light of dual sub-bands

双子带光驱动的光调制

• 批准号: 20560013
• 负责人: IMAI Kazuaki
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Hokkaido Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560013/
• 关键词: 半導体; ZnSe-ZnTe超格子; II-VI族半導体; 超格子; Type-IIバンド構造; MBE成長; 光強度変調

Type-II ZnSe-ZnTe superlattices with DSB structure show light modulation effects. The superlattices consist of two kinds of period and have two fundamental states at, for instance, 1.8 and 2.1 eV that depend on the structure at 8 K. The samples the substrates of which are removed a part (about 1 mmφ) transmit a little the light of the He-Ne laser (1.96 eV). The intensity of the transmitted light increases by about 10% under exposure to laser lights the photon energy of which is higher than 1.96 eV.

具有DSB结构的II型ZnSe-ZnTe超晶格具有光调制效应。超晶格由两种周期组成，并具有两个基本状态，例如，1.8和2.1 eV，这取决于8 K下的结构。去除一部分衬底（约1 mmφ）的样品透射少量He-Ne激光（1.96eV）。在暴露于光子能量高于1.96 eV的激光下，透射光的强度增加约10%。

项目成果

Light switching driven by light of ZnSe-ZnTe dual sub-band superlattices

ZnSe-ZnTe双子带超晶格光驱动的光开关

• 发表时间: 2010
• 作者: K. Takahashi;K.Honma;T. Yamamoto;M. Abe;Na.Kimura;No.Kimura;T.Sawada;K.Suzuki;K.Imai
• 通讯作者: K.Imai

ZnSe-ZnTe超格子の波長変換効果と電子バンド構造

ZnSe-ZnTe超晶格的波长转换效应和电子能带结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 一戸善弘;共佳;本間一臣;今井和明;澤田孝幸;鈴木和彦;木村信行;木村尚仁
• 通讯作者: 木村尚仁

アンモニアクラスターイオンビームを用いたGaNのMBE成長-膜厚依存性-

使用氨簇离子束进行 GaN 的 MBE 生长 - 膜厚依赖性 -

• 发表时间: 2009
• 作者: 斉藤博;中川俊一郎;大石正和;今井和明
• 通讯作者: 今井和明

MBE-ZnTe/GaAsの水素による表面処理

MBE-ZnTe/GaAs 氢表面处理

• 发表时间: 2009
• 期刊: 北海道工業大学研究紀要 vol.37
• 作者: 共佳;一戸善弘;本間一臣;今井和明;澤田孝幸;鈴木和彦;木村信行;木村尚仁
• 通讯作者: 木村尚仁

Arクラスターイオンビームを用いたSi(111)表面清浄化

使用 Ar 簇离子束清洁 Si(111) 表面

• 发表时间: 2010
• 作者: 中川駿一郎;斉藤博;大石正和;今井和明
• 通讯作者: 今井和明