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Light up-conversion mechanism of type-II dual sub-band superlattices

II型双子带超晶格的光上转换机制

基本信息

批准号：
16560015
负责人：
IMAI Kazuaki
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Hokkaido Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2006
项目状态：
已结题

项目摘要

The super-structured superlattice which consists of two kinds of single period superlattices with different quantum levels (dual sub-band (DSB) superlattice) shows two PL peaks. Under the excitation with the light with the mid-energy between the PL peaks, the DSB sample emits the peak at the upper energy side additionally to the lower side peak. We call this phenomena as light up-conversion effect. In this investigation, we study the mechanism in the type-II ZnSe-ZnTe superlattice.The dependences of the energy and intensity of PL peaks on the excitation intensity on the samples with various structures were measured. Under the excitation with the light of Ar^+ laser (488 nm, 2.54 eV), all the samples have two PL peaks at both sides of the He-Ne line (633 nm, 1.96 eV). Under the excitation with He-Ne, all the samples indicate both peaks. The PL peak at the higher energy side is the up-converted light.All the n values in the presentation of the excitation intensity dependence of the emission intensity (I_<em>〜I_<ex>^n) of the up-converted peaks were over 1.3. The sample with thin ZnSe parts (barriers in V.B.) has the value of n of 1.7. The energies of all the PL peaks indicate the blue shift with increasing the excitation intensity.The mechanism of the up-conversion effect involves two steps process with the tunneling effect in V.B. and the recombination between the type-II levels.

由两种不同量子能级的单周期超晶格组成的超结构超晶格（双子带（DSB）超晶格）具有两个PL峰。在用具有PL峰之间的中间能量的光激发下，DSB样品除了下侧峰之外还发射在上侧能量侧的峰。我们称这种现象为光上转换效应。本文研究了Ⅱ型ZnSe-ZnTe超晶格中的发光机制，测量了不同结构样品的发光峰能量和强度随激发强度的变化关系。在Ar^+激光（488 nm，2.54 eV）激发下，样品在He-Ne线两侧（633 nm，1.96 eV）都有两个PL峰。在He-Ne激发下，所有样品都出现两个峰。高能量侧的PL峰是上转换光，表示上转换峰的发光强度的激发强度依赖性（I_<em>λ I_<ex>n）的n值全部超过1.3。具有薄ZnSe部分的样品（V. B.中的势垒）n的值为1.7。上转换发光峰的能量随激发强度的增加而蓝移，上转换发光的机制包括两个阶段，即V. B中的隧穿效应。以及第二类能级之间的复合。

项目成果

期刊论文数量（79）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

MBE growth and optical evaluation of ZnSeTe alloys

ZnSeTe 合金的 MBE 生长和光学评估

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Memoirs Hokkaido Inst. Tech. No.35
影响因子：
0
作者：
Akira Ishikawa;Hirotaka Miyata;G.Shigaura et al.;一戸善弘他;G.Shigaura et al.;M.Ohashi et al.;M.Kanamori et al.
通讯作者：
M.Kanamori et al.

Effects of sub-gap irradiation on the time-of-flight current waveforms of high resistivity CdTe

亚间隙辐照对高阻CdTe飞行时间电流波形的影响

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
phys.stat.sol.(c) 3
影响因子：
0
作者：
T.Sawada;N.Kimura;K.Suzuki;K.Imai;S.-W.Kim;T.Suzuki;K.Suzuki et al.
通讯作者：
K.Suzuki et al.

GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光

GaAs 梯度衬底上的 MBE-ZnTe 深度发射

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
北海道工業大学研究紀要第35号
影响因子：
0
作者：
小川博司;鎌田雅夫;西尾光弘;増田正孝;郭其新;田中徹;近藤祐治;林田和樹;本岡輝昭;志賀浦豪一他
通讯作者：
志賀浦豪一他

Photomagnetoelectric effect of high resistivity CdTe

高电阻率CdTe的光磁电效应

DOI：
发表时间：
2004
期刊：
phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4
影响因子：
0
作者：
T.Sawada;N.Kimura;K.Suzuki;K.Imai;S.-W.Kim;T.Suzuki;K.Suzuki et al.;Na.Kimura et al.;大橋雅浩他;M.Ohashi et al.;Y.Sasaki et al.;T.Sawada et al.;H.Saito et al.;K.Suzuki et al.
通讯作者：
K.Suzuki et al.

Cleaning effect of ZnSe surface by hydrogen treatment

氢处理对ZnSe表面的清洗效果

DOI：
发表时间：
2004
期刊：
phys.stat.sol.(c) vol.1,No.4
影响因子：
0
作者：
T.Sawada;N.Kimura;K.Suzuki;K.Imai;S.-W.Kim;T.Suzuki;K.Suzuki et al.;Na.Kimura et al.;大橋雅浩他;M.Ohashi et al.;Y.Sasaki et al.;T.Sawada et al.;H.Saito et al.;K.Suzuki et al.;Y.Sasaki et al.
通讯作者：
Y.Sasaki et al.