Study on two dimensional control of orientation selective epitaxial growth of oxide thin films
Study on two dimensional control of orientation selective epitaxial growth of oxide thin films
氧化物薄膜定向选择性外延生长的二维控制研究
批准号：
20560024
负责人：
INOUE Tomoyasu
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
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英文摘要
We have studied orientation selective epitaxial (OSE) growth of cerium dioxide (CeO_2) layers on Si(100) substrates, which was enabled by surface potential modification during the growth process. With the aim of two dimensionally controlled OSE, we adopted an electron beam irradiation method. Using absorbed electron current imaging, we controlled the size and position of electron beam irradiated area, which leaded to the first successful results of the spatially varied growth of CeO_2(100) and (110) regions on Si(100) substrates.
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Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of C_eO_2(100)/Si(100) Structures
C_eO_2(100)/Si(100)结构电子束诱导定向选择性外延生长参数优化
C_eO_2(100)/Si(100)结构电子束诱导定向选择性外延生长参数优化
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Electrochem. Soc. Trans. 13
影响因子：
--
作者：
[T. Inoue, H. Ohtake, J. Ota ni, S. Shida]
通讯作者：
S. Shida
ホームページ等。
主页等
主页等
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長へのAEI観察の応用
AEI观察在电子束诱导定向选择性外延生长中的应用
AEI观察在电子束诱导定向选择性外延生长中的应用
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上知泰, 信田重成]
通讯作者：
信田重成
Si(100)基板上の複合面方位CeO_2 層の形成
Si(100)衬底上复合面取向CeO_2层的形成
Si(100)衬底上复合面取向CeO_2层的形成
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[井上知泰, 信田重成]
通讯作者：
信田重成
Two dimensional control of electron beam induced orientation selective epitaxial growth of (100) and (110)CeO2 regions on Si(100) substrates
Si(100) 衬底上电子束诱导定向选择性外延生长 (100) 和 (110)CeO2 区域的二维控制
Si(100) 衬底上电子束诱导定向选择性外延生长 (100) 和 (110)CeO2 区域的二维控制
DOI：
10.1016/j.tsf.2010.12.201
发表时间：
2011
期刊：
Thin Solid Films
影响因子：
2.1
作者：
[Tomoyasu Inoue, Nobuyuki Igarashi, Y. Kanno, S. Shida]
通讯作者：
S. Shida
共 9 条
Hybrid orientation structure formation by electron beam induced orientation selective epitaxial growth
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批准号：23560028
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.08万
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财政年份：2011
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负责人：INOUE Tomoyasu
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依托单位：
Epitaxial Growth of CeO_2(110) Layrs on Si(100) Substrates
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批准号：07455012
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1995
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负责人：INOUE Tomoyasu
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依托单位：