Hybrid orientation structure formation by electron beam induced orientation selective epitaxial growth

电子束诱导定向选择性外延生长形成混合定向结构

• 批准号: 23560028
• 负责人: INOUE Tomoyasu
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Iwaki Meisei University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560028/
• 关键词: 結晶成長; 超薄膜; 表面・界面物性; 方位選択エピタキシ; 電子ビーム照射; 表面界面物性; 複合面方位

We have studied orientation selective epitaxial (OSE) growth of cerium dioxide (CeO2) layers on Si(100) substrates, which is enabled by surface potential modification during the growth process. Adopting an electron beam irradiation method, we attained the successful results of the hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) areas on Si(100) substrates. There exists a transition region containing both orientation components between the two orientation areas and its width decreases proportionally as the logarithm of underlying Si substrate resistivity. With the aim of perfect isolation of the two orientation areas, we have started OSE growth experiments using silicon on insulator substrates with lithographically formed trenches.

我们研究了二氧化铈（CeO2）层在Si（100）衬底上的取向选择性外延（OSE）生长，这是在生长过程中通过表面电位修饰实现的。采用电子束辐照的方法，在Si（100）衬底上成功制备了CeO2（100）和CeO2（110）区域的杂化取向结构。在两个取向区之间存在一个包含两个取向分量的过渡区，其宽度随下伏Si衬底电阻率的对数成比例减小。为了完美地隔离两个取向区域，我们已经开始在具有光刻形成沟槽的绝缘体衬底上使用硅进行OSE生长实验。

项目成果

Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering

利用电子束诱导定向反应磁控溅射在 Si(100) 衬底上选择性外延生长 CeO_2(100) 和 (110) 区域的混合定向衬底

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proc. 4th Int. Conf. Advanced Plasma Technol.
• 作者: Dan Lei;三石和貴;原田研;下条雅幸;巨東英;竹口雅樹;T. Inoue and S. Shida
• 通讯作者: T. Inoue and S. Shida

Hybrid Orientation Selective Orientation Epitaxial Growth of CeO_2(100) and (110) Regions on Si(100) Sub- strates

Si(100) 衬底上 CeO_2(100) 和 (110) 区域的混合取向选择性取向外延生长

• 发表时间: 2013
• 期刊: Proc. 12th International Symposi- um on Sputtering & Plasma Processes
• 作者: T. Inoue and S. Shida

Si(100)基板上の複合面方位CeO_2領域間の分離

Si(100)衬底上复杂面取向CeO_2区域之间的分离

• 发表时间: 2014
• 作者: 井上知泰;信田重成
• 通讯作者: 信田重成

Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分離

Si(100) 衬底上复杂取向的 CeO2 区域之间的分离

• 发表时间: 2014
• 作者: 井上知泰;信田重成
• 通讯作者: 信田重成

Hybrid Orientation Structure of CeO_2(100) and (110) Regions on Si(100) Substrates

Si(100)衬底上CeO_2(100)和(110)区域的杂化取向结构

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Matsumoto;A. Tamura;R. Koda;T. Sakka;K. Fukami;Y. H. Ogata;T. Inoue and S. Shida
• 通讯作者: T. Inoue and S. Shida