Development of crystallinity evaluation technique of poly-silicon film aiming at flat panel display on the basis of an alternating current surface photovoltage method
基于交流表面光电压法的平板显示多晶硅薄膜结晶度评价技术开发
基本信息
- 批准号:20560308
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
A novel instrument based on an alternating current surface photovoltage (AC SPV) was successfully developed to evaluate a crystallinity of Si poly-crystal thin film nondestructively. Simultaneously, irregular AC SPV characteristics were clarified for thermally oxidized Au-, Fe-, and Cr-contaminated n-type Si single crystal surfaces, respectively. The effects of these metal impurities on thermal oxide growth of Si surfaces were also investigated.
研制了一种基于交流表面光伏(AC SPV)的硅多晶薄膜结晶度无损检测仪器。同时,阐明了热氧化Au、Fe和Cr污染的n型硅单晶表面的不规则交流SPV特征。研究了这些金属杂质对硅表面热氧生长的影响。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動(その2)
Au 在热氧化 Au 有意污染的 n 型 Si(100) 表面上的行为(第 2 部分)
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Matsuda;S. Ishimaru;S. Nohara;H. Iwata;K. Komoku;T. Morishita;T. Ohzone;嶋田定剛(清水博文)
- 通讯作者:嶋田定剛(清水博文)
非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
使用非接触式表面光电压探针评估多晶硅薄膜的结晶度
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:角田直輝;海津利行;高橋正光;山口浩一;池田正則(清水博文)
- 通讯作者:池田正則(清水博文)
Si(1OO)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響
P和Sb对Si(1OO)表面热氧化膜生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K.Kajikawa;K.Tomachi;K.Tanaka;K.Funaki;T.Kamiya;M.Okada;H.Kumakura;牟田壮志郎
- 通讯作者:牟田壮志郎
Characteristics of Sol–Gel-Derived and Crystallized HfO2 Thin Films Dependent on Sol Solution
- DOI:10.1143/jjap.49.121502
- 发表时间:2010-12
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:H. Shimizu;Dai Nemoto;M. Ikeda;T. Nishide
- 通讯作者:H. Shimizu;Dai Nemoto;M. Ikeda;T. Nishide
Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
热氧化铬污染 n 型硅片中的负氧化物电荷
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Shimizu;S.Shimada;M.Ikeda
- 通讯作者:M.Ikeda
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