Development of crystallinity evaluation technique of poly-silicon film aiming at flat panel display on the basis of an alternating current surface photovoltage method
Development of crystallinity evaluation technique of poly-silicon film aiming at flat panel display on the basis of an alternating current surface photovoltage method
基于交流表面光电压法的平板显示多晶硅薄膜结晶度评价技术开发
批准号：
20560308
负责人：
SHIMIZU Hirofumi
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
中文摘要
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英文摘要
A novel instrument based on an alternating current surface photovoltage (AC SPV) was successfully developed to evaluate a crystallinity of Si poly-crystal thin film nondestructively. Simultaneously, irregular AC SPV characteristics were clarified for thermally oxidized Au-, Fe-, and Cr-contaminated n-type Si single crystal surfaces, respectively. The effects of these metal impurities on thermal oxide growth of Si surfaces were also investigated.
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熱酸化したAu故意汚染n型Si(100)表面におけるAuの挙動(その2)
Au 在热氧化 Au 有意污染的 n 型 Si(100) 表面上的行为（第 2 部分）
Au 在热氧化 Au 有意污染的 n 型 Si(100) 表面上的行为（第 2 部分）
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsuda, S. Ishimaru, S. Nohara, H. Iwata, K. Komoku, T. Morishita, T. Ohzone, 嶋田定剛(清水博文)]
通讯作者：
嶋田定剛(清水博文)
非接触表面光電圧プローブを用いた多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
使用非接触式表面光电压探针评估多晶硅薄膜的结晶度
使用非接触式表面光电压探针评估多晶硅薄膜的结晶度
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 山口浩一, 池田正則(清水博文)]
通讯作者：
池田正則(清水博文)
Si(1OO)表面における熱酸化膜成長に及ぼすP及びSbの影響
P和Sb对Si(1OO)表面热氧化膜生长的影响
P和Sb对Si(1OO)表面热氧化膜生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K.Kajikawa, K.Tomachi, K.Tanaka, K.Funaki, T.Kamiya, M.Okada, H.Kumakura, 牟田壮志郎]
通讯作者：
牟田壮志郎
DOI：
10.1143/jjap.49.121502
发表时间：
2010-12
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[H. Shimizu;Dai Nemoto;M. Ikeda;T. Nishide]
通讯作者：
H. Shimizu;Dai Nemoto;M. Ikeda;T. Nishide
Negative Oxide Charge in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
热氧化铬污染 n 型硅片中的负氧化物电荷
热氧化铬污染 n 型硅片中的负氧化物电荷
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. Vol.49
影响因子：
--
作者：
[H.Shimizu, S.Shimada, M.Ikeda]
通讯作者：
M.Ikeda
共 27 条
Development of the DXT method by Photolithography
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批准号：25670107
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2013
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负责人：SHIMIZU Hirofumi
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依托单位：
Development of a method for simultaneous recordings of single channel dynamics and currents
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批准号：24249013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$30.53万
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财政年份：2012
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负责人：SHIMIZU Hirofumi
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依托单位：
Simultaneous recording of conformational changes and ionic currents of single-molecular ion channels reveals the relationship between membrane potentials and motions of the channels.
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批准号：20679002
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (S)
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资助金额：$51.17万
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财政年份：2008
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负责人：SHIMIZU Hirofumi
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依托单位：
海外基金