Development of photo-switching transistors using functional organic molecules

使用功能有机分子开发光开关晶体管

• 批准号: 20860090
• 负责人: HAYAKAWA Ryoma
• 金额: $ 2.06万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860090/
• 关键词: 有機トランジスタ; 有機ヘテロ界面; 光; ヘテロ構造; 光スイッチング

The objective of our study is to control the charge-transfer at organic hetero-interface by photo-irradiation, leading to development of photo-switching organic transistor. Firstly, we successfully improved electrical properties of quaterrylene (QT) thin film transistors by interface-engineering. As a result, even 2ML-thick QT thin films worked as p-typed transistors. Then, we formed organic hetero-layer transistors, where charge-transfer complex molecules with high electron acceptability were deposited on the top of QT transistors. Threshold voltage in the hetero-layer transistors was drastically changed by charge-transfer complex molecules, demonstrating that transistor properties can be controlled through organic hetero-interface.

本研究的目的是通过光照射来控制有机异质界面的电荷转移，从而发展光开关有机晶体管。首先，我们成功地改善了四萘嵌苯（QT）薄膜晶体管的电性能的界面工程。结果，即使是2ML厚的QT薄膜也可以用作p型晶体管。然后，我们形成了有机异质层晶体管，其中具有高电子可接受性的电荷转移复合物分子沉积在QT晶体管的顶部。异质层晶体管中的阈值电压被电荷转移复合物分子显著改变，表明晶体管性能可以通过有机异质界面来控制。

项目成果

Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響

四萘嵌苯有机薄膜晶格应变的控制及其对生长过程的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 早川竜馬;Ayse Turak;XueNa Zhang;Helmut Dosch;廣芝伸哉;知京豊裕;若山裕
• 通讯作者: 若山裕

Strain-engineering for controlled growth mode of quaterrylene Thin Films

四萘嵌苯薄膜受控生长模式的应变工程

• 发表时间: 2009
• 作者: R. Hayakawa;A. Turak;X.N. Zhang;H. Dosch;N. Hiroshiba;T. Chikyow;Y. Wakayama
• 通讯作者: Y. Wakayama

Quaterrylene 有機薄膜の成長とトランジスタ特性-自己組織化膜によるシリコン酸化膜表面修飾効果-

四萘嵌苯有机薄膜的生长和晶体管特性-自组装膜的氧化硅膜表面改性效果-

• 发表时间: 2008
• 作者: 早川竜馬、XueNa Zang;Ayse Turak;Helmut Dosch;廣芝伸哉;知京豊裕;若山裕;早川竜馬
• 通讯作者: 早川竜馬

Impact of Surface Modification by Self-assembled Monolayer for Carrier Transport of Quaterrylene Thin Films

自组装单层表面改性对四萘嵌苯薄膜载流子传输的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: Thin Solid Films vol.518
• 作者: R. Hayakawa;N. Hiroshiba;T. Chikyow;Y. Wakayama
• 通讯作者: Y. Wakayama

Quaterrylene Single Monolayer Transistors Formed Using Ultra-slow Vacuum Deposition Technique

采用超慢真空沉积技术形成的四萘嵌苯单层晶体管

• 发表时间: 2008
• 作者: R. Hayakawa;M. Petit;Y. Wakayama;T. Chikyow
• 通讯作者: T. Chikyow