Development of atmospheric-pressure plasma applied mist chemical vapor deposition and ZnO thin film growth under room temperature using the method.

开发了常压等离子体应用雾化学气相沉积和使用该方法在室温下生长 ZnO 薄膜。

• 批准号: 20860081
• 负责人: KAWAHARAMURA Toshiyuki
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Kochi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860081/
• 关键词: ミスト化学気相成長(CVD)法; 大気圧プラズマ; 薄膜成長; 酸化亜鉛(ZnO); ミスト液滴; 機能薄膜; 薄膜エッチング; ミスト; 薄膜食刻(エッチング); 装置開発; 大気圧中プラズマ発生; 表面反応促進; 結晶成長; 半導体物性; ミストCVD法; 酸化亜鉛薄膜; ZnO; 新手法開発

A novel low temperature thin-film fabricating method was created and developed using mist chemical vapor deposition with atmospheric-pressure plasma. In the development, the dynamics of the mist droplets at a reaction area were analyzed and the reaction of the mist rapidly proceeded with high reaction efficiency was revealed. Moreover, a novel etching technique using the mist was developed as a related technology. The developed methods can save the usages of chemical resources and total energy.

使用带有大气压等离子体的雾化学蒸气沉积创建和开发了一种新型的低温薄膜制造方法。在发育中，分析了反应区域的雾液滴的动力学，并揭示了雾气迅速进行的反应效率。此外，一种使用雾气的新型蚀刻技术是作为一种相关技术开发的。开发的方法可以节省化学资源和总能源的用法。

项目成果

ミストエッチング装置及びミストエッチング方法

雾刻设备及雾刻方法

• 发表时间: 2010

ミスト技術の応用 -薄膜作製技術への挑戦-

雾化技术的应用-对薄膜生产技术的挑战-

• 发表时间: 2009
• 作者: 西政好;濱田秀則;佐川康貴;川端雄一郎;川原村敏幸
• 通讯作者: 川原村敏幸

ミスト技術の応用-薄膜作製技術への挑戦-

雾化技术的应用 - 薄膜生产技术的挑战 -

• 发表时间: 2009
• 作者: Nakashima S.;Sugioka K.;Midorikawa K.;川原村敏幸;川原村敏幸
• 通讯作者: 川原村敏幸

ミスト法を用いた新規エッチング手法の開発

使用雾法的新蚀刻方法的开发

• 发表时间: 2010
• 作者: Nakashima S.;Sugioka K.;Midorikawa K.;川原村敏幸
• 通讯作者: 川原村敏幸