Basic research on nanostructure control for the fabrication of ultra-wide bandgap oxide quantum devices by mist CVD
Basic research on nanostructure control for the fabrication of ultra-wide bandgap oxide quantum devices by mist CVD
雾气CVD制备超宽带隙氧化物量子器件的纳米结构控制基础研究
批准号：
18H01873
负责人：
KAWAHARAMURA Toshiyuki
金额：
$11.4万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
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溶液系大気圧ミストCVDによる硫化スズ（SnSx）薄膜の作製プロセスの開発
开发基于溶液的常压雾气 CVD 硫化锡 (SnSx) 薄膜的制造工艺
开发基于溶液的常压雾气 CVD 硫化锡 (SnSx) 薄膜的制造工艺
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤翔太, 劉麗, G. T. Dang, 川原村敏幸]
通讯作者：
川原村敏幸
ミストCVD における酸化亜鉛薄膜形成時の水の効果
水对雾气 CVD 氧化锌薄膜形成的影响
水对雾气 CVD 氧化锌薄膜形成的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[ルトンジャン ピモンパン, 西 美咲, 川原村 敏幸, 坂本 雅仁, 劉 麗, 佐藤 翔太, 上田 真理子, 安岡 龍哉, 長谷川 諒, 尾崎 珠子, 鄧 太 江]
通讯作者：
鄧 太 江
FC式ミストCVDの原料供給濃度変化による反応メカニズム解析
FC型雾气CVD中原料供给浓度变化引起的反应机理分析
FC型雾气CVD中原料供给浓度变化引起的反应机理分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西 美咲, 劉 麗, 佐藤 翔太, 長谷川 諒, 安岡 龍哉, 上田 真理子, 尾﨑 珠子, RUTTHONGJAN Phimolphan, 鄧 太 江, 川原村 敏幸]
通讯作者：
川原村 敏幸
Composition control of Zn1-x Mg x O thin films grown using mist chemical vapor deposition
使用雾化学气相沉积生长的 Zn1-x Mg x O 薄膜的成分控制
使用雾化学气相沉积生长的 Zn1-x Mg x O 薄膜的成分控制
DOI：
10.7567/1347-4065/aafd18
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Rutthongjan Phimolphan, Liu Li, Nishi Misaki, Sakamoto Masahito, Sato Shota, Pradeep Ellawala K C, Dang Giang T, Kawaharamura Toshiyuki]
通讯作者：
Kawaharamura Toshiyuki
Crystallinity Improvement of Mist Chemical Vapor Deposition Grown ZnO Thin Films by Controlling Film Crystal Orientation
通过控制薄膜晶体取向提高雾化化学气相沉积生长的 ZnO 薄膜的结晶度
通过控制薄膜晶体取向提高雾化化学气相沉积生长的 ZnO 薄膜的结晶度
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Phimolphan Rutthongjan, Misaki Nishi, Li Liu, Giang Dang, Toshiyuki Kawaharamura]
通讯作者：
Toshiyuki Kawaharamura
共 46 条
Application technology development harnessing mist characteristics-The mist method for fabrication technology of electronic devices-
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批准号：22760232
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2010
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负责人：KAWAHARAMURA Toshiyuki
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依托单位：
Development of atmospheric-pressure plasma applied mist chemical vapor deposition and ZnO thin film growth under room temperature using the method.
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批准号：20860081
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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资助金额：$2.1万
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财政年份：2008
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负责人：KAWAHARAMURA Toshiyuki
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依托单位：
海外基金