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Application technology development harnessing mist characteristics-The mist method for fabrication technology of electronic devices-
利用雾特性的应用技术开发-电子器件制造技术的雾方法-
基本信息
- 批准号：22760232
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
It succeeded in clarifying the mechanism and behavior about the mist method. As a result, any researches have been stepped up. Moreover, the index of non-vacuum process conversion of the TFT fabrication process was demonstrated. Application development of the mist CVD to the electronic device fabrication technology was promoted.
它成功地阐明了雾法的机理和行为。因此，任何研究都加快了步伐。此外，还论证了TFT制备工艺的非真空工艺转换指标。促进了雾状气相沉积技术在电子器件制造技术中的应用发展。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Study on the behavior of mist droplets and the mechanism in the mist Chemical Vapor Deposition
雾气化学气相沉积中雾滴行为及机理研究
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kawaharamura;S. Fujita;and T. Hirao
- 通讯作者：and T. Hirao
A Novel Solution-based Vapor-etching Technique : Mist-etching
基于溶液的新型气相蚀刻技术：雾蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川原村敏幸(Toshiyuki Kawaharamura);平尾孝(Takashi Hirao)
- 通讯作者：平尾孝(Takashi Hirao)
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
KAWAHARAMURA Toshiyuki其他文献
Fabrication of Molybdenum Disulfide (MoS<sub>2</sub>) Layered Thin Films by Atmospheric-Pressure Solution Based Mist CVD
基于常压溶液的雾气CVD制备二硫化钼(MoS<sub>2</sub>)层状薄膜
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KAWAHARAMURA Toshiyuki
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 资助金额：
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26630395 - 财政年份：2014
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$ 2.75万 - 项目类别：
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25870613 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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- 批准号：
21920013 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
Development of atmospheric-pressure plasma applied mist chemical vapor deposition and ZnO thin film growth under room temperature using the method.
开发了常压等离子体应用雾化学气相沉积和使用该方法在室温下生长 ZnO 薄膜。
- 批准号：
20860081 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
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- 批准号：
07J08424 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機薄膜のミスト成膜法の開発
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- 批准号：
19656192 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research