Teilentladungsuntersuchung zur hochspannungstauglichen Kontaktierung von Hochleistungsbauelementen

在跨越一个kV的半导体技术中，元件存在着高精度组装模块的不稳定性问题，因此该组件的稳定性很差。Dabei erweist sich die tzkante der Kupfermetallisierung des Keramiksubstrats aufgrund ihrer Geometrie und er im Betrieb vorhandenen Feldbelastung als Hauptteilentladungsquelle und Ursache für einen Durchschlag der Isolierkeramik.对于这一Hintergrund verfolgt dieses Projekt das Ziel，需要对一种有效的电阻性磁场几何形状进行Verbesserungen，该方法基于磁场的尺寸和真实性，通过实际测量来实现。Zur Bewertung der Effektivität sowohl der Feldsteuerung als auch der kompletten neuen Kontaktierung kommt die Teilentladungsmessung zum Einsteung.长时间使用Auswahl是一种高抗TE的Weichvergußmaterial，并具有模量的长时间稳定性，该材料具有韦尔登结构。这一游戏的特点是对跨度和寿命的控制。

Durch das Vordringen der Halbleitertechnik in Spannungsbereiche von einigen kV je Elemente ergeben sich Probleme hinsichtlich des hochspannungstauglichen Aufbaus entsprechender Module sowie hinsichtlich der Langzeitstabilität dieser Komponenten. Dabei erweist sich die Ätzkante der Kupfermetallisierung des Keramiksubstrats aufgrund ihrer Geometrie und er im Betrieb vorhandenen Feldbelastung als Hauptteilentladungsquelle und Ursache für einen Durchschlag der Isolierkeramik. Vor diesem Hintergrund verfolgt dieses Projekt das Ziel, neben weiterer Verbesserungen der Geometrie eine effektive resistive Feldsteuerung, die aus verfahrenstechnischen Gründen als die praktikabelste Lösung erscheint, auf der Basis von Feldberechnungen zu dimensionieren und zu realisieren. Zur Bewertung der Effektivität sowohl der Feldsteuerung als auch der kompletten neuen Kontaktierung kommt die Teilentladungsmessung zum Einsatz. Langzeituntersuchungen dienen der Auswahl eines möglichst TE-resistenten Weichvergußmaterials und der Bewertung der Langzeitstabilität von Modulen, die mit der entwickelten Kontaktierung aufgebaut werden. Das Zusammenspiel sämtlicher Verbesserungen dient zur Steigerung der Spannungsbelastbarkeit und der Lebensdauer von Halbleiterbauelementen hoher Leistung.