Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs

Versagensrelevant für Hoesistungshalbleiter Baugruppen sind u.a.在Halbleitermodul中处理包装接口。Ziel des Vorhabens is die Reduktion der Anzahl dieser Interfaces and die elektrische Optimierung der verbliebenen Interfaces durch Einestival von neu zu entwentenwerkstoffen auf Basis von AIN.该IN-Substrat将通过一种电致变色的电致变色材料的电致变色和电致变色材料的电致变色材料的电致变色和电致变色材料的电致变色材料的电致变色和电致变色材料的电致变色来形成。通过在基底材料的随机区中对电致添加剂进行萃取和迁移，使基底材料从AIN-Keramik、Kupfermetallisierung和Beschichtung的结合中获得最佳的重量，并在韦尔登的基底材料中进行特殊的改性。Der so entstandene Zusammensetzungsgradient soll einerseits die Temperaturwechselbeständigkeit des Interfaces zur Kupfermetallisierung verbessern，andererseits die Homogenität des lokalen elektrischen Feldes erhöhen und so die Teilentladungsaktivität verringern. Eine mechanische Nachbearbeitung der Escherichenzone soll möglich sein.

Versagensrelevant für Hochleistungshalbleiter Baugruppen sind u.a. Prozesse an den Interfaces des Packaging im Halbleitermodul. Ziel des Vorhabens ist die Reduktion der Anzahl dieser Interfaces und die elektrische Optimierung der verbliebenen Interfaces durch Einsatz von neu zu entwickelnden Gradientenwerkstoffen auf Basis von AIN. Das AIN-Substrat wird durch Einsatz reaktionssinterfähiger Versätze und Sinterung im starken elektrischen Wechselfeld zur `resistiven Feldsteuerung` mit einem Gradienten der elektrischen Leitfähigkeit und chemischer Zusammensetzung im Oberflächenbereich versehen. Der bisher eingesetzte Substrataufbau bestehend aus AIN-Keramik, Anbindung der Kupfermetallisierung und resistiver Beschichtung soll weitestgehend in den Werkstoff AIN verlagert werden, durch Extraktion und Migration von elektrisch leitfähigen Additiven in die Randzone des Substratwerkstoffs während der Mikrowellensinterung speziell modifizierter Versätze. Der so entstandene Zusammensetzungsgradient soll einerseits die Temperaturwechselbeständigkeit des Interfaces zur Kupfermetallisierung verbessern, andererseits die Homogenität des lokalen elektrischen Feldes erhöhen und so die Teilentladungsaktivität verringern. Eine mechanische Nachbearbeitung der Gradientenzone soll möglich sein.