权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs

基于氮化铝梯度材料的高性能半导体界面开发

基本信息

批准号：
5316878
负责人：
Professor Dr.-Ing. Dirk Peier
金额：
--
依托单位：
Lehrstuhl für Hochspannungstechnik(HST)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
2001
资助国家：
德国
起止时间：
2000-12-31 至 2003-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5316878?language=en
关键词：
Interface Entwicklung Hochleistungshalbleiter auf Basis

项目摘要

Versagensrelevant für Hochleistungshalbleiter Baugruppen sind u.a. Prozesse an den Interfaces des Packaging im Halbleitermodul. Ziel des Vorhabens ist die Reduktion der Anzahl dieser Interfaces und die elektrische Optimierung der verbliebenen Interfaces durch Einsatz von neu zu entwickelnden Gradientenwerkstoffen auf Basis von AIN. Das AIN-Substrat wird durch Einsatz reaktionssinterfähiger Versätze und Sinterung im starken elektrischen Wechselfeld zur `resistiven Feldsteuerung` mit einem Gradienten der elektrischen Leitfähigkeit und chemischer Zusammensetzung im Oberflächenbereich versehen. Der bisher eingesetzte Substrataufbau bestehend aus AIN-Keramik, Anbindung der Kupfermetallisierung und resistiver Beschichtung soll weitestgehend in den Werkstoff AIN verlagert werden, durch Extraktion und Migration von elektrisch leitfähigen Additiven in die Randzone des Substratwerkstoffs während der Mikrowellensinterung speziell modifizierter Versätze. Der so entstandene Zusammensetzungsgradient soll einerseits die Temperaturwechselbeständigkeit des Interfaces zur Kupfermetallisierung verbessern, andererseits die Homogenität des lokalen elektrischen Feldes erhöhen und so die Teilentladungsaktivität verringern. Eine mechanische Nachbearbeitung der Gradientenzone soll möglich sein.

Versagensrelevant fgr hochleistungshall bleiter Baugruppen and a. prozse and den Interfaces des Packaging in halbleitermodule。Ziel des Vorhabens, die reducization of Anzahl - dieser Interfaces, die elektrische Optimierung der verbliebenen Interfaces, Einsatz von neu, entwickelnden gradientenwerkofofofbasis von AIN。Das ain - substrate wind durch Einsatz reaktionssinterfähiger Versätze and stastken elektrischen Wechselfeld zur ' resistiven Feldsteuerung ' miteinem Gradienten der elektrischen Leitfähigkeit and chemischer Zusammensetzung im Oberflächenbereich versehen。Der bisher eingesetzte Substrataufbau bestehend aus AIN- keramik, Anbindung Der Kupfermetallisierung and resistance . bechchtung soll weitestgehend in den Werkstoff AIN verlagert werden, durch extraction and Migration von elektrisch leitfähigen adtiven in die Randzone des Substratwerkstoffs während Der mickrowelleninterung special modifiziter Versätze。Der so entstandene zusammensetzungsgradientsoleseinterseits die Temperaturwechselbeständigkeit des Interfaces zur Kupfermetallisierung verbessern, derderseits die Homogenität des lokalen elektrischen Feldes erhöhen and so die Teilentladungsaktivität verringern。梯度作用下的流体力学特性研究[j]；