Interface Entwicklung für Hochleistungshalbleiter auf Basis eines Aluminiumnitrid-Gradientenwerkstoffs

首页--期刊主要分类--期刊细介绍--期刊题录与文摘--期刊详细文摘内容Zil des Vorhabens ist die reduktion der Anzahl dieser Interages and die elektrische Optimierung der verbliebenen Interages dch einatz von neu zu entwickelnden GRadientenwkstoffen auf base von ain.这是一种很好的材料，它可以用来生产更高的烧结剂和更好的烧结剂，也可以用来解决这些问题。在此基础上，我们将继续开发新的基础材料，并将其与其他材料相结合，以改善其性能。在这样的环境中，我们选择了最好的语言接口，也就是说，它的所有规则都是统一的，所以我们的技术支持是最好的。这是一种很难理解的机制。

Versagensrelevant für Hochleistungshalbleiter Baugruppen sind u.a. Prozesse an den Interfaces des Packaging im Halbleitermodul. Ziel des Vorhabens ist die Reduktion der Anzahl dieser Interfaces und die elektrische Optimierung der verbliebenen Interfaces durch Einsatz von neu zu entwickelnden Gradientenwerkstoffen auf Basis von AIN. Das AIN-Substrat wird durch Einsatz reaktionssinterfähiger Versätze und Sinterung im starken elektrischen Wechselfeld zur `resistiven Feldsteuerung` mit einem Gradienten der elektrischen Leitfähigkeit und chemischer Zusammensetzung im Oberflächenbereich versehen. Der bisher eingesetzte Substrataufbau bestehend aus AIN-Keramik, Anbindung der Kupfermetallisierung und resistiver Beschichtung soll weitestgehend in den Werkstoff AIN verlagert werden, durch Extraktion und Migration von elektrisch leitfähigen Additiven in die Randzone des Substratwerkstoffs während der Mikrowellensinterung speziell modifizierter Versätze. Der so entstandene Zusammensetzungsgradient soll einerseits die Temperaturwechselbeständigkeit des Interfaces zur Kupfermetallisierung verbessern, andererseits die Homogenität des lokalen elektrischen Feldes erhöhen und so die Teilentladungsaktivität verringern. Eine mechanische Nachbearbeitung der Gradientenzone soll möglich sein.