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Real-time analysis of silicide formation processes of refractory metals controlled by surfactant effects

Real-time analysis of silicide formation processes of refractory metals controlled by surfactant effects
表面活性剂效应控制的难熔金属硅化物形成过程的实时分析
批准号：
20760021
负责人：
OHNO Shinya
金额：
$2.83万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760021/
关键词：
表面・界面物性シリコン酸化反応シリサイド光電子分光走査トンネル顕微鏡

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究的目的是探讨表面活性剂的氧或氢对难熔金属硅化物形成过程的影响。在2009年，钛和氧共吸附的Si（001）表面的缺陷形成过程被澄清。2010年，系统研究了氧对Si（001）、Si（311）和Si（120）表面硅化钛形成过程的影响。
英文摘要
The objective of the present research is to investigate surfactant effect of oxygen or hydrogen on silicide formation processes of refractory metals. In 2009, defect formation process on titanium and oxygen coadsorbed Si(001) surfaces was clarified. In 2010, effect of oxygen on titanium silicide formation processes on Si(001), Si(311) and Si(120) surfaces was systematically investigated.
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会议论文
Reaction kinetics in the rapid oxide growth on Si(001)-(2x1)probed with reflectance difference spectroscopy
用反射差光谱探测 Si(001)-(2x1) 上氧化物快速生长的反应动力学
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： Jpn.J.Appl.Phys. 49(in press.)
影响因子： --
作者： [M.Muraguchi, Y.Sakurai, Y.Takada, Y.Shigeta, M.Ikeda, K.Makihara, S.Miyazaki, S.Nomura, K.Shiraishi, T.Endoh, N.G.Cha, S.Ohno]
通讯作者： S.Ohno
Modification by H-termination in growth process of titanium silicide on Si(001)-(2x1) observed with scanning tunneling microscopy
用扫描隧道显微镜观察硅化钛在 Si(001)-(2x1) 上生长过程中 H 终止的修饰
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Appl. Surf. Sci. 256
影响因子： --
作者： [T. Aoki, K. Shudo, K. Sato, S. Ohno, H. Nishioka, T. Iida, M. Toramaru, M. Tanaka]
通讯作者： M. Tanaka
STM observation of titanium silicide formation on Si(001)-2x1 in the presence of oxygen International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5)
STM 观察氧存在下 Si(001)-2x1 上硅化钛形成的情况 国际表面科学与纳米技术研讨会 (ISSS-5)
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [佐藤和成, 寅丸雅光, 飯田貴則, 青木健志, 西岡広明, 首藤健一, 大野真也, 田中正俊]
通讯作者： 田中正俊
酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II
氧吸附Ti/Si(001)表面II的结构和电子态
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [M.Muraguchi, Y.Takada, S.Nomura, K.Shiraishi, 大野真也]
通讯作者： 大野真也
共 29 条
    Analysis of promoted oxidation reaction just below ultrathin films of transition metals grown on Si surfaces
    • 批准号：
      23760027
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      OHNO Shinya
    • 依托单位：
      Yokohama National University
    海外基金