Real-time analysis of silicide formation processes of refractory metals controlled by surfactant effects

表面活性剂效应控制的难熔金属硅化物形成过程的实时分析

• 批准号: 20760021
• 负责人: OHNO Shinya
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Yokohama National University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760021/
• 关键词: 表面・界面物性; シリコン; 酸化反応; シリサイド; 光電子分光; 走査トンネル顕微鏡

The objective of the present research is to investigate surfactant effect of oxygen or hydrogen on silicide formation processes of refractory metals. In 2009, defect formation process on titanium and oxygen coadsorbed Si(001) surfaces was clarified. In 2010, effect of oxygen on titanium silicide formation processes on Si(001), Si(311) and Si(120) surfaces was systematically investigated.

本研究的目的是研究氧或氢对难熔金属硅化物形成过程中表面活性剂的影响。2009年，钛和氧共吸附在Si(001)表面上的缺陷形成过程被阐明。2010年，我们系统地研究了氧对Si(001)、Si(311)和Si(120)表面上硅化钛形成过程的影响。

项目成果

Reaction kinetics in the rapid oxide growth on Si(001)-(2x1)probed with reflectance difference spectroscopy

用反射差光谱探测 Si(001)-(2x1) 上氧化物快速生长的反应动力学

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. 49(in press.)
• 作者: M.Muraguchi;Y.Sakurai;Y.Takada;Y.Shigeta;M.Ikeda;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Nomura;K.Shiraishi;T.Endoh;N.G.Cha;S.Ohno
• 通讯作者: S.Ohno

Modification by H-termination in growth process of titanium silicide on Si(001)-(2x1) observed with scanning tunneling microscopy

用扫描隧道显微镜观察硅化钛在 Si(001)-(2x1) 上生长过程中 H 终止的修饰

• 发表时间: 2009
• 期刊: Appl. Surf. Sci. 256
• 作者: T. Aoki;K. Shudo;K. Sato;S. Ohno;H. Nishioka;T. Iida;M. Toramaru;M. Tanaka
• 通讯作者: M. Tanaka

STM observation of titanium silicide formation on Si(001)-2x1 in the presence of oxygen International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5)

STM 观察氧存在下 Si(001)-2x1 上硅化钛形成的情况 国际表面科学与纳米技术研讨会 (ISSS-5)

• 发表时间: 2008
• 作者: 佐藤和成;寅丸雅光;飯田貴則;青木健志;西岡広明;首藤健一;大野真也;田中正俊
• 通讯作者: 田中正俊

酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態II

氧吸附Ti/Si(001)表面II的结构和电子态

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Muraguchi;Y.Takada;S.Nomura;K.Shiraishi;大野真也
• 通讯作者: 大野真也

Modification of titanium silicide growth by H-termination on Si(001)-2x1 observed with scanning tunneling microscopy

用扫描隧道显微镜观察到 Si(001)-2x1 上 H 终止对硅化钛生长的修改

• 发表时间: 2008
• 作者: M.Muraguchi;T.Okunishi;K.Shiraishi;K.Takeda;青木健志
• 通讯作者: 青木健志