Analysis of promoted oxidation reaction just below ultrathin films of transition metals grown on Si surfaces

硅表面生长的过渡金属超薄膜下方促进氧化反应的分析

• 批准号: 23760027
• 负责人: OHNO Shinya
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Yokohama National University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760027/
• 关键词: シリコン; 光電子分光; 酸化反応; 遷移金属; 酸素

We found that promoted oxidation reaction occurs on titanium-covered silicon surfaces by oxygen exposure at room temperature. We investigated thickness and composition of the oxide layer in order to clarify this process. In the case of evaluation of the oxide thickness by photoelectron spectroscopy, it is desirable to use photon energies with large mean free path. We found that cautious analysis should be performed in order to evaluate the oxide composition. This viewpoint was obtained based on the analysis of titanium adsorption on oxidized silicon surfaces.

我们发现钛覆盖的硅表面在室温下暴露于氧气中会发生促进的氧化反应。我们研究了氧化层的厚度和组成，以澄清这一过程。在通过光电子能谱法评价氧化物厚度的情况下，希望使用具有大平均自由程的光子能量。我们发现，为了评价氧化物成分，应进行谨慎的分析。这一观点是基于对钛在氧化硅表面上吸附的分析而得出的。

项目成果

田中正俊Ti 吸着による Si(001)表面酸化促進反応の解析

Ti 吸附促进 Si(001) 表面氧化反应的田中正敏分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 村山亮介;朝川幸二朗;山本圭介;王冬;中島寛;大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫
• 通讯作者: 大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫

Ti吸着による酸化Si(001)表面電子状態変化の解析

Ti吸附导致氧化Si(001)表面电子态变化分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 大野真也

超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析II

超声分子束分析Si高折射率表面的初始氧化过程II

• 发表时间: 2012
• 作者: 大野真也;兼村瑠威;安部壮祐;井上慧;百瀬辰哉;吉越章隆;寺岡有殿;尾形祥一;安田哲二;田中正俊
• 通讯作者: 田中正俊

田中正俊シリコン酸化状態へのチタン吸着効果の解析

田中正敏分析钛对硅氧化态的吸附效应

• 发表时间: 2012
• 作者: Kazuki YOSHIHARA;Masashi KATO;Masaya ICHIMURA;Tomoaki HATAYAMA;Takeshi OHSHIMA;大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫
• 通讯作者: 大野真也 ,安部壮祐,高橋和敏,鎌田雅夫

Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価

使用实时光电子能谱评估硅高指数表面氧化过程

• 发表时间: 2011
• 作者: H. Nagai;S. Takano;H. Hara;C. Mochizuki,I. Takano;T. Onuma;T. Honda;and M. Sato;大野真也
• 通讯作者: 大野真也