Studies on the discovery of transparent magnet and the development of electronic devices using both spin and charge of electron
透明磁体的发现和利用电子自旋和电荷的电子器件的开发研究
基本信息
- 批准号:20760204
- 负责人:
- 金额:$ 1.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Diluted magnetic semiconductors which display both semiconducting and ferromagnetic properties have attracted considerable research interest as new functional device materials. As a new diluted magnetic semiconductor, vanadium-doped ZnSe is theoretically predicted to induce ferromagnetism above room temperature. Vanadium-doped ZnSe was epitaxially grown on (100) GaAs substrate by metal-organic vapor phase epitaxial method in an atmospheric pressure. We investigated the effects of vanadium doping on the crystal structure of ZnSe, as well as the optical and magnetic properties of vanadium-doped ZnSe. Vanadium-doped ZnSe(0.2at%) film fabricated under the epitaxial growth condition showed superparamagnetic behavior at room temperature.
稀磁半导体作为一种新型的功能器件材料,兼具半导体和铁磁特性,引起了人们极大的研究兴趣。作为一种新型的稀磁半导体,钒掺杂的ZnSe在室温以上具有铁磁性。采用金属有机物气相外延法在(100)GaAs衬底上常压外延生长了掺钒ZnSe。我们研究了钒掺杂对ZnSe晶体结构的影响,以及钒掺杂ZnSe的光学和磁性。在外延生长条件下制备的掺钒ZnSe(0.2at%)薄膜在室温下表现出超顺磁性。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Heteroepitaxial growth of CdTe films on (1 0 0) GaAs treated with Sb by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
低压金属有机气相外延在 Sb 处理的 (1 0 0) GaAs 上异质外延生长 CdTe 薄膜
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2008.05.014
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:M. Tahashi;S. Uzura;H. Goto;T. Ido
- 通讯作者:T. Ido
Growth and Characterization of Vanadium-doped ZnSe by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
金属有机气相外延法生长和表征钒掺杂 ZnSe
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masahiro Tahashi;Zunyi Wu;Hideo Goto;Toshiyuki Ido
- 通讯作者:Toshiyuki Ido
ビスエチルシクロペンタジエニルバナジウムを用いたバナジム添加ZnSe膜の作製と評価
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山下将和;田橋正浩;後藤英雄;高橋誠;井戸敏之
- 通讯作者:井戸敏之
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双乙基环戊二烯钒 MOVPE 生长 V 掺杂 ZnSe 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J.Nishinaga;Y.Horikoshi;田橋正浩
- 通讯作者:田橋正浩
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