Study on fabrication technology of photonic crystals composed of visible-light emitting tantalum-oxide thin films

可见光发射氧化钽薄膜光子晶体制备技术研究

• 批准号: 20760217
• 负责人: MIURA Kenta
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Gunma University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760217/
• 关键词: 酸化タンタル; エルビウム; 緑色発光; スパッタリング; フォトニック結晶; タンタル酸化物; 発光; スパッタ

Er-doped TaOx films were prepared by using rf magnetron sputtering. Visible light emission was observed from the films after annealing under excitation with a He-Cd laser (λ=325nm). Two peaks having wavelengths around 550 nm and 670 nm were observed from the films annealed at 800-1100oC. The strongest intensity of the 550-nm (green) peak was obtained from the film with 0.96 mol% of Er concentration after annealing at 900oC for 20 min. Such sputtered films which emit visible light can be useful as high-index materials for novel active devices using autocloned photonic crystals.

采用射频磁控溅射法制备了掺铒的TaOx薄膜。在He-Cd激光（λ=325nm）激发下退火后的薄膜有可见光发射。从800-1100℃退火的薄膜中观察到两个波长约为550 nm和670 nm的峰。当Er浓度为0.96 mol%时，薄膜在900℃下退火20 min，获得了最强的550 nm（绿色）峰强度。这种发射可见光的溅射薄膜可以作为使用自克隆光子晶体的新型有源器件的高折射率材料。

项目成果

UV and visible light emitting fused-silica substrates fabricated by Si-ion implantation

通过硅离子注入制造的紫外光和可见光发射熔融石英衬底

• 发表时间: 2009
• 作者: A.V.Umenyi;M.Honmi;K.Miura;O.Hanaizumi;S.Yamamoto;A.Inouye;M.Yoshikawa
• 通讯作者: M.Yoshikawa

Structural analysis of RF sputtered Er doped Ta_2O_5 films

射频溅射掺铒Ta_2O_5薄膜的结构分析

• 发表时间: 2011
• 期刊: Key Engineering Materials
• 作者: 巣山;島田;大森;橋本;山口;J.P.Bange
• 通讯作者: J.P.Bange

プロトンビーム描画による波長1.5μm帯用シングルモードPMMA導波路

使用质子束写入的 1.5μm 波长带单模 PMMA 波导

• 发表时间: 2009
• 作者: 三浦健太;町田裕貴;上原政人;花泉修;石井保行;佐藤隆博;高野勝昌;大久保猛;山崎明義;井上愛知;江夏昌志;横山彰人;神谷富裕;小嶋拓治;西川宏之
• 通讯作者: 西川宏之

Application of Si/SiO_2 materials to photonic devices

Si/SiO_2材料在光子器件中的应用

• 发表时间: 2009
• 作者: O.Hanaizumi;K.Miura
• 通讯作者: K.Miura

プロトンビーム描画による波長1.5μm帯用PMMA導波路の試作(II)

使用质子束写入的 1.5 μm 波长带 PMMA 波导的原型制作（II）

• 发表时间: 2010
• 作者: 三浦健太