Study on light-emitting Si-based thin films

硅基发光薄膜的研究

基本信息

批准号：
26390073
负责人：
MIURA Kenta
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Gunma University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

Light-emission properties of Yb and Ag co-doped Ta2O5 thin films fabricated by sputtering

溅射法制备Yb、Ag共掺杂Ta2O5薄膜的发光性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Kanakubo;K. Shimada;S. Segawa;M. Machida;K. Miura;W. Kada;K. Noguchi;and O. Hanaizumi
通讯作者：
and O. Hanaizumi

Photoluminescence properties of Eu and Ag co-doped Ta2O5 thin films deposited by co-sputtering

共溅射沉积Eu、Ag共掺杂Ta2O5薄膜的光致发光性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Shimada;M. Kanakubo;S. Segawa;M. Machida;K. Miura;W. Kada;K. Noguchi;and O. Hanaizumi
通讯作者：
and O. Hanaizumi

Effects of Si-layer-thickness ratio on UV-light-emission intensity from Si/SiO2 multilayered thin films prepared using radio-frequency sputtering

Si层厚比对射频溅射Si/SiO2多层薄膜紫外发光强度的影响

DOI：
10.4236/msa.2015.63025
发表时间：
2015
期刊：
Materials Sciences and Applications
影响因子：
0
作者：
K. Miura;H. Hoshino;M. Honmi;and O. Hanaizumi
通讯作者：
and O. Hanaizumi

Luminescent thin films for solar cell applications

用于太阳能电池应用的发光薄膜

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Mase;M. Tanaka;N. Ida;H. Kodama;and T. Kikuchi;K. Miura and O. Hanaizumi
通讯作者：
K. Miura and O. Hanaizumi

Fabrication of ZnO periodic microstructures and evaluation of their luminescence

ZnO周期性微结构的制备及其发光评估

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Saito;O. Matsumoto;D. Yamazaki;Y. Hirano;K. Noguchi;W. Kada;K. Miura;and O. Hanaizumi
通讯作者：
and O. Hanaizumi

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

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2023
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项目类别：
面上项目

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$ 3.16万
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22H04238
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资助金额：
$ 3.16万
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Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists

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批准号：
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$ 3.16万
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资助金额：
$ 3.16万
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批准号：
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2021
资助金额：
$ 3.16万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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