Fabrication of coexistence of ferromagnetic and ferroelectric at roomtemperature by controlling valence of ion

通过控制离子价态制造室温铁磁和铁电共存

• 批准号: 20760474
• 负责人: NAGANUMA Hiroshi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760474/
• 关键词: ビスマスフェライト; 薄膜; マルチフェロイクス; 強誘電性; 反強磁性; 自発磁化; コバルト; 置換型; BiFeO_3

In this study, we demonstrated that by controlling the valence of ion at B-site in BiFeO_3 of antiferromagneitc material can be realized coexistence of ferromagnetic and ferroelectric above room temperature. Next, in order to prepare the very thin film for use as spintronics application such as spin-filter, we prepared the films by sputtering instead of chemical solution deposition method which can not prepare a few nano-meter films. Finally, we successfully prepared high quality epitaxial single- phase-films with thickness of 100 nm onto SrTiO_3(001) single crystal substrates using sputtering method.

在这项研究中，我们证明，通过控制抗fiferomagneitc材料的Bifeo_3中的离子的离子价，可以实现超过室温的铁磁性和铁电的共存。接下来，为了准备非常薄的薄膜以用作旋转滤波器，例如自旋滤波器，我们通过溅射而不是化学溶液沉积方法来制备膜，而化学溶液沉积法无法准备几个纳米米膜。最后，使用溅射方法，我们成功制备了具有100 nm厚度的高质量外延单相中影片，其厚度为100 nm。

项目成果

Co置換BiFeO_3薄膜の構造、磁気特性および強誘電性

钴取代BiFeO_3薄膜的结构、磁性能和铁电性

• 发表时间: 2008
• 作者: 下堀隆佑;中里勉;甲斐敬美;永沼博
• 通讯作者: 永沼博

MPBを有するBiFeO_3-BiCoO_3エピタキシャル薄膜の磁性と強誘電性

MPB BiFeO_3-BiCoO_3外延薄膜的磁性和铁电性

• 发表时间: 2008
• 作者: 下堀隆佑;中里勉;甲斐敬美;永沼博
• 通讯作者: 永沼博

Measurement of ferroelectric properties of polycrystalline BiFeO_3 films using a high driving frequency of 100 kHz system

使用100 kHz高驱动频率系统测量多晶BiFeO_3薄膜的铁电性能

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Owashi;H. Watanabe;T. Uesugi;Y. Takigawa;K. Higashi;Hiroshi Naganuma
• 通讯作者: Hiroshi Naganuma

Biマルチフェロイック酸化物材料を用いたスピンエレクトロニクスの展開

使用Bi多铁氧化物材料开发自旋电子学

• 发表时间: 2009
• 作者: Yakeno A.;Hasegawa Y.;Kasagi N.;永沼博
• 通讯作者: 永沼博

Structural, Ferroelectric, and Magnetic Properties of BiFeO3-BiCoO3 solid solution films

BiFeO3-BiCoO3 固溶体薄膜的结构、铁电和磁性

• 发表时间: 2009
• 作者: M Kawaguchi;A Shimizu;S Nakanishi;A Monkawa;J Choi;T Kato;永沼博
• 通讯作者: 永沼博