Perfect Control Electronic Device Application of Organic Crystal Growth at Soild/Liquid Interface and device applications

固/液界面有机晶体生长的完美控制电子器件应用及器件应用

• 批准号: 20760485
• 负责人: FUKIDOME Hirokazu
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760485/
• 关键词: 有機結晶; グラフェン; 電子デバイス; 有機結晶成長; ルブレン

In this project, we have studied the crystal-growth process of rubrene and graphene at solid/liquid interfaces by using atomic-scale characterization methods, for instance, atomic force microscopy. Almost perfect single crystal of rubrene could be obtained and be used in device applications. On the other hand, high-quality graphene crystalline films could be formed on silicon substrates, and the control of the electronic properties of the graphene film has been established.

在这个项目中，我们研究了红荧烯和石墨烯在固/液界面上的晶体生长过程，通过使用原子尺度的表征方法，例如，原子力显微镜。可以得到几乎完整的红荧烯单晶，并用于器件应用。另一方面，可以在硅衬底上形成高质量的石墨烯结晶膜，并且已经建立了石墨烯膜的电子性质的控制。

项目成果

Epitaxial Graphene on Silicon Substrate

硅衬底上外延石墨烯

• 发表时间: 2010
• 期刊: Journal of Physics D 43(印刷中)
• 作者: 末光眞希;吹留博一
• 通讯作者: 吹留博一

Epitaxial Growth Processes of Graphene on Silicon Substrates

• DOI: 10.1143/jjap.49.01ah03
• 发表时间: 2010-01-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 1.5
• 作者: Fukidome, Hirokazu;Miyamoto, Yu;Suemitsu, Maki
• 通讯作者: Suemitsu, Maki

Raman Scattering of Epitaxial Graphene Formed on Silicon Substrates

硅衬底上形成的外延石墨烯的拉曼散射

• 发表时间: 2009
• 期刊: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3
• 作者: Yu Miyamoto;Hiroyuki Handa;Hirokazu Fukidome;Tankashi Ito;Maki Suemitsu
• 通讯作者: Maki Suemitsu

Si(111), Si(100), Si(110)基板表面上へのグラフェン・オン・シリコンの形成

在 Si(111)、Si(100) 和 Si(110) 衬底表面上的硅上形成石墨烯

• 发表时间: 2009
• 作者: 吹留博一;宮本優;半田浩之;齋藤英司;末光眞希
• 通讯作者: 末光眞希

Epitaxial growth of graphene on various silicon substrates

石墨烯在各种硅衬底上的外延生长

• 发表时间: 2009
• 作者: 吹留博一;宮本優;半田浩;高橋良太;今泉京;末光眞希
• 通讯作者: 末光眞希